FAIRCHILD FDY101PZ Single P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档详细介绍了FDDY101PZ单P通道(– 2.5V)指定PowerTrench® MOSFET产品的特性，包括应用、特点、绝对最大额定值、电气特性等。
FAIRCHILD FDY100PZ Single P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 本文件是FDY100PZ单P通道(-2.5V)指定PowerTrench MOSFET的使用说明书。
GENERAL SEMICONDUCTOR 2N7002 DMOS Transistors (N-Channel) 数据手册 该数据表格主要介绍了2N7002这个产品的特点特性，包括最大额定值、电气特性、机械特性等。
FAIRCHILD FDY1002PZ Dual P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY1002PZ是一款双P通道功率MOSFET，特点是最大导通电阻低，适用于锂离子电池组等应用。
FAIRCHILD FDV305N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDV305N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N沟道MOSFET，该产品已针对电源管理应用进行了优化。其特点是低RDS(ON)，低门极电荷，快速切换速度。
FAIRCHILD FDY102PZ Single P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY102PZ Single P-Channel (–1.5 V) Specified PowerTrench® MOSFET, 该产品最大电阻为0.5欧姆，可用于锂离子电池包。
FAIRCHILD FDY2000PZ Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2006年1月发布的Fairchild Semiconductor公司的FDY2000PZ双P-Channel MOSFET产品。该产品采用先进的Power Trench工艺，优化了在VGS = -2.5V时的RDS(ON)值。该产品适用于锂离子电池组，具有-350mA，-20V的额定参数。同时具备ESD保护二极管，并符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDY3000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 这是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的 FDY3000NZ 双 N 通道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 的产品手册。该 MOSFET 的 RDS(ON) @ VGS = 2.5v 优化，应用于 Li-Ion 电池组。其特点包括 600 mA、20 V RDS(ON) = 700 m��@ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 850 m� @ VGS = 2.5 V、ESD 保护二极管以及 RoHS 兼容性。
FAIRCHILD FDY300NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY300NZ是Fairchild Semiconductor生产的N-沟道MOSFET，其特点是RDS(ON) @ VGS = 2.5v非常低，适用于锂电池组等应用。
FAIRCHILD FDY301NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDY301NZ单通道MOSFET的特点和特性，使用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench工艺进行设计，以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。其应用包括锂离子电池组。主要特点包括200mA, 20V的电流和5Ω @ VGS = 4.5V，7Ω @ VGS = 2.5V的电阻。此外，还具有ESD保护二极管和符合RoHS标准。
飞利浦 2N7002E 数据手册 该文件介绍了一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS™技术并封装在塑料包装中。该产品具有逻辑电平阈值兼容、非常快速的开关速度等特点，适用于逻辑电平转换器、高速线路驱动器等应用。
FAIRCHILD FDZ192NZ 数据手册 FDZ192NZ是一款由Fairchild Semiconductor Corporation设计的N通道1.5V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET。该器件具有极低的RDS(on)，可在1.5V至20V的电压范围内工作，最大电流为5.3A。
飞利浦 2N7002F 数据手册 2N7002F是一款使用TrenchMOS™技术的N沟道增强型场效应晶体管，适用于中速开关应用。其特点是采用了TrenchMOS™技术，具有非常快的开关速度，与逻辑电平兼容，并采用了超小尺寸的表面贴装封装。
Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K 说明书 该文档描述了Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的特性和特点，包括N-Channel Vertical DMOS结构、Level 3 MOS模型、适用于线性和开关应用、温度范围广等。同时，该文档也介绍了该器件的子电路模型原理和参数优化方法。
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002L是Semiconductor Components Industries, LLC生产的一种小信号N通道MOSFET，其最大额定电压为60 V，最大额定电流为115 mA，封装形式为SOT-23。
