FAIRCHILD FDS6682 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6682是一款30V N沟道PowerTrench MOSFET，专门设计用于提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它经过优化，可在“低侧”同步整流器中进行操作，在小型封装中提供极低的RDS(ON)。
ON NUP2301MW6T1 Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines 数据手册 NUP2301MW6T1是一款低电容二极管阵列，用于在两条数据线上进行ESD保护。该设备旨在为敏感组件提供保护，以防止可能对其造成有害的电气瞬变，例如ESD（静电放电）。
ON NUP4201DR2 Low Capacitance Surface Mount TVS for High-Speed Data Interfaces 数据手册 NUP4201DR2 是低容量表面贴装 TVS，用于高速数据接口，可保护连接到高速通信线路的设备免受 ESD、EFT 和雷击。
ON NUP4201DR2 Advance Information Low Capacitance Surface Mount TVS for High-Speed Data Interfaces 数据手册 NUP4201DR2是半导体元器件工业有限公司推出的一款防浪涌保护器，可以保护设备连接到高速通信线路免受ESD、EFT和雷击的影响。
ON NUP4201MR6 Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection 数据手册 NUP4201MR6是一款低压、低功耗的TVS管，可应用于高压脉冲抑制。它具有3pF的低寄生电容，可满足高频通信线路上的信号完整性要求。NUP4201MR6还通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5等国际标准的认证。
Dell 4210X Projector User’s Guide 本文档是Dell™ 4210X投影仪用户指南，提供了关于投影仪的重要信息，包括注意事项和警示信息。文档内容可能有所变动且未经Dell Inc.书面许可，严禁以任何方式复制这些材料。投影仪的品牌为Dell，型号为4210X。
FAIRCHILD FDS8928A 说明书 这份文件介绍了1998年7月生产的FDS8928A双N和P通道增强型场效应晶体管的特点和特性。该产品采用了高密度DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关性能和抗干扰等特点，适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
ON NUP4302MR6 Schottky Diode Array for Four Data Line ESD Protection 数据手册 该产品是一款肖特基二极管阵列，主要应用于高速数据线接口的ESD保护。产品具有低压降、快速开关、PN结保护环等特点。
FAIRCHILD FDS8882 说明书 FDS8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能器件，具有极低的rDS(on)和快速的开关特性。它专为功率转换应用而设计，可最大限度地降低损耗。
FAIRCHILD FDS9431A P-Channel 2.5V Specified MOSFET 数据手册 FDS9431A是Fairchild生产的一种高密度P通道MOSFET，具有-3.5A，-20V的最大电压和电流，低RDS(ON)和高功率处理能力。
FAIRCHILD FDS9926A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9926A是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道2.5V指定MOSFET。它具有6.5A，20V的额定电流和电压，适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDS9933A Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9933A是Fairchild Semiconductor生产的一种双P通道2.5V MOSFET，具有极低的RDS(on)和快速的开关速度。
FAIRCHILD FDS9933BZ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS9933BZ是一款双P通道2.5V指定的PowerTrench® MOSFET，具有低RDS(on)、低栅极电荷、高性能沟槽技术和HBM ESD保护等特点
FAIRCHILD FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT3612是一款100V N通道MOSFET，采用高性能沟槽技术，具有非常低的RDS（ON），因此具有快速的开关速度和低的门控电荷。它非常适合用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDT434P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT434P是一种P通道2.5V指定的PowerTrench MOSFET，其开关性能优越，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门针对最小化开态电阻而定制，同时又保持低栅极电荷。
FAIRCHILD FDT439N N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 FDT439N 是一款 30 V 低功耗 N 沟道 MOSFET。
FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
