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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了Harris Corporation公司1992年生产的2N7288D、2N7288R和2N7288H型号的辐射硬化N沟道功率MOSFET。这些器件具有9A、250V的额定值，RDS(on)为0.415Ω，能够满足100KRAD(Si)的预辐照规格，并且性能允许有限使用到3000KRAD(Si)。
文件格式: PDF
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MD5: 70A72F9F44B4B756F9DB776F01D26535
发布时间: 12 July, 2012
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连接: HARRIS Semiconductor 2N7288D, 2N7288R, 2N7288H 数据手册 PDF