L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002LT1 是LESHAN RADIO公司生产的N通道SOT-23封装的MOSFET, 其最大漏源电压为60V, 最大漏源电流为115mA, 最大栅源电压为40V, 最大总耗散功率为225mW。
FAIRCHILD 2N7002MTF 说明书 该文件介绍了2N7002MTF产品的特点特性，包括较低的RDS(on)，提高的感应耐用性，快速的开关时间，较低的输入电容，扩展的安全工作区域以及改进的高温可靠性。
16-, 14-, & 12-bit Self-calibrating A/D Converters CS5012A CS5014 CS5016 说明书 CS5012A/14/16是12位、14位和16位的模拟数字转换器，具有7.2微秒、14.25微秒和16.25微秒的转换时间。独特的自校准电路确保了优异的线性度和差分非线性度，并且没有缺失码。偏移和满量程误差保持在1/2 LSB（CS5012A/14）和1 LSB（CS5016）以内，无需校准。单极性和双极性输入范围可通过数字选择。CS5012A/14/16具有DAC、转换和校准微控制器、振荡器、比较器、与微处理器兼容的三态I/O和校准电路。采样架构内置的输入跟踪保持电路在每次转换后使用快速摆动的片上缓冲放大器获取输入信号。这允许达到100 kSps（CS5012A）、56 kSps（CS5014）和50 kSps（CS5016）的吞吐量。
DIODES 2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002T是N通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电、超小表面贴装封装等特点。
DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002V/VA是双N通道增强型场效应晶体管，具有低开关电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装等特点
DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002V/VA 是双 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、超小表面贴装封装和无铅设计/ RoHS 兼容等特点。
FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA24N60 600V N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低通态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。该产品非常适用于高效率的开关电源。
FAIRCHILD FQA28N15 说明书 该文件介绍了FQA28N15型号的N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用Fairchild的专有DMOS技术，具有较低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效DC/DC转换器的开关和直流电机控制，以及不间断电源。
DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1) 该文件介绍了2N7002W N-沟道增强型场效应晶体管的特点，包括低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度等。
DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1) 2N7002W 是 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门限电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 2N7007 说明书 2N7007是Supertex生产的一种N沟道增强型垂直DMOS FET，具有高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度等特性，适用于各种开关和放大应用场合。
Crysta CS5101A CS5102A 16-Bit, 100 kHz / 20 kHz A/D Converters 说明书 该文件介绍了Cirrus Logic, Inc.的CS5101A和CS5102A两款16位、100 kHz / 20 kHz A/D转换器的特点。这些转换器具有超低失真、快速转换时间、线性误差小、自校准等特性，适用于电池供电操作。
FAIRCHILD FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET 说明书 FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型N沟道功率场效晶体管，采用Fairchild专有的平面DMOS技术，具有低导通电阻、出色的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。
FAIRCHILD 2N7051 数据手册 该文件介绍了2N7051 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它包括了集电极-发射极电压、集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极电流、存储温度等参数。
FAIRCHILD 2N7052/2N7053/NZT7053 数据手册 2N7052 / 2N7053 / NZT7053是一种NPN达林顿晶体管，适用于需要极高增益和高击穿电压的应用。它可以承受1.0A的集电极电流。
SEME LAB 2N7081–220M–ISO 数据手册 2N7081–220M–ISO是Semilab plc生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是TO–220绝缘罐式封装、低RDS(ON)、简单的驱动要求。
