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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了一种N沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用TrenchMOS™技术并封装在塑料包装中。该产品具有逻辑电平阈值兼容、非常快速的开关速度等特点,适用于逻辑电平转换器、高速线路驱动器等应用。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 39ED9597EB5654B62BC5B74283A7164E
发布时间: 12 July, 2012
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