FAIRCHILD FDMA3027PZ 说明书 FDMA3027PZ是一款双通道功率型MOSFET，最大漏源电阻为87 mΩ，工作电压为-30 V，漏极电流为-3.3 A。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，具有优异的热性能，适用于线性模式应用。此外，该器件还具有HBM ESD保护功能。
FAIRCHILD FDMA291P 说明书 FDMA291P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道1.8V PowerTrench MOSFET，主要应用于电池充电或负载开关等应用场合，具有低导通电阻的特点
FAIRCHILD FDMA2002NZ 说明书 FDMA2002NZ是双N通道PowerTrench MOSFET，额定电压30V，额定电流2.9A。该器件具有低导通电阻，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用的双切换需求。
FAIRCHILD FDMA1032CZ 说明书 FDMA1032CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V Complementary PowerTrench MOSFET，具有低导通损耗和高频开关特性。
FAIRCHILD FDMA1029PZ 说明书 FDMA1029PZ是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和双向电流流动能力，适用于手机电池充电开关等超便携应用。
FAIRCHILD FDMA1028NZ 说明书 该产品是一款双N通道功率晶体管，可以满足手机和其他超便携应用中对双开关的需求。它具有两个独立的N通道MOSFET，开关阻抗低，导通损耗小。该产品在物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
FAIRCHILD FDMA1027PT 说明书 FDMA1027PT是双P通道PowerTrench®MOSFET，额定电压-20V，额定电流-3A，额定导通电阻120mΩ。该器件专为手机等便携式设备中电池充电开关的应用而设计，具有低结温和双向导电特性。
FAIRCHILD FDMA1027P 说明书 FDMA1027P是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，特别设计用于电池充电开关在手机和其他超便携应用中的使用。它具有两个独立的P-Channel MOSFET，具有较低的导通电阻，以实现最小的导通损耗。当连接在典型的共源配置中时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2封装在其物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
FAIRCHILD FDMA1024NZ 说明书 FDMA1024NZ Dual N-Channel Power Trench® MOSFET是一款20 V, 5.0 A, 54 mΩ的双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、低封装高度、高ESD保护等特点，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用
FAIRCHILD FDM3622 说明书 FDM3622 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款100V、4.4A、60mΩ的MOSFET，其特点包括低Miller充电、低QRR、体二极管、高频优化效率、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDG8842CZ 说明书 FDG8842CZ Complementary PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能、低压开关元件，可满足低压应用的需求。该器件采用Fairchild专有的高单元密度DMOS工艺，具有极低的开关损耗，可用于各种低压应用。
FAIRCHILD FDMC86248 说明书 FDMC86248 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能产品，具有最大电阻率为90 mΩ的特点，可用于主要MOSFET和MV同步整流器MOSFET等应用。
FAIRCHILD FDMC86244 说明书 FDMC86244是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道功率MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，具有低RDS(on)和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDMC86240 说明书 FDMC86240 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的高性能MOSFET，其最大导通电阻仅为51 mΩ，适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDMC8622 说明书 FDMC8622是Fairchild Semiconductor推出的一款N通道MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于POE保护开关。
FAIRCHILD FDMC86102LZ 说明书 FDMC86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制成，具有出色的开关性能和高ESD保护等特性。
FAIRCHILD FDMC86102L 说明书 FDMC86102L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道Power Trench® MOSFET，额定电压为100V，额定电流为18A，额定导通电阻为23mΩ。该产品具有超低的导通电阻，低封装高度，符合RoHS标准。
