FAIRCHILD FDMS2504SDC 说明书 FDMS2504SDC是一款N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor公司的先进PowerTrench®工艺生产。它具有极低的rDS(on)和优秀的开关性能，并且具有高效的单片肖特基二极管。
DIODES MMST2222A 数据手册 MMST2222A 是 Diodes 公司生产的一款 NPN 小信号表面贴装晶体管，封装形式为 SOT-323，额定最大集电极-发射极电压为 40 V，最大集电极-基极电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 6.0 V，最大集电极电流为 600 mA，最大功耗为 200 mW，最大热阻为 625 °C/W，工作温度范围为 -55 至 +150 °C
FAIRCHILD FDMS2506SDC 说明书 FDMS2506SDC是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET。该器件采用双冷却顶部散热PQFN封装，具有极低的RDS(on)和高性能技术。应用范围包括DC/DC转换器中的同步整流器、电信次级侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET。
FAIRCHILD FDMS2508SDC 说明书 FDMS2508SDC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该器件采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS(on)和极低的Junction-to-Ambient热阻，非常适合DC/DC转换器、电信二次侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET应用。
FAIRCHILD FDMS2510SDC 说明书 这份文档介绍了FDMS2510SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能技术、SyncFET肖特基二极管等。
FAIRCHILD FDMS2572 说明书 FDMS2572是一款N沟道超FET Trench MOSFET，具有最大的rDS(on)为47mΩ，在VGS=10V，ID=4.5A时。它还具有低Miller电荷和高频效率优化特性，适用于高频DC到DC变换器。
FAIRCHILD FDMS2672 说明书 FDMS2672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款200V、20A、77mΩ的MOSFET。该器件具有低Rds(on)、低ESR、低总谐波失真和Miller门极电荷等特点，适用于高频DC/DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS2734 说明书 FDMS2734 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 MOSFET 器件，其最大特点是低 rDS(on)、低 ESR、低总和 Miller 门极电荷，因此非常适合高频 DC 到 DC 转换器应用。
FAIRCHILD FDMS3572 说明书 该文档介绍了FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大电阻、Miller电荷、优化的高频效率等。
FAIRCHILD FDMS3602S 说明书 FDMS3602S PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、低封装寄生电感、低开关损耗等特点。
FAIRCHILD FDMS3620S 说明书 FDMS3620S PowerTrench® PowerStage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款低电感封装，提高开关速度，降低开关损耗的MOSFET，适用于计算、通信、电源和笔记本电脑等应用场景。
FAIRCHILD FDMS3622S 说明书 FDMS3622S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET。该产品具有低导通电阻、低电感封装、优化的布局和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDMS3624S 说明书 FDMS3624S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗和低功耗特性。
DIODES MMST4124 数据手册 该文件介绍了MMST4124型号的NPN小信号表面贴装晶体管的特点。它具有外延平面晶片结构、可用的互补PNP型号（MMST4126）、适用于中等功率放大和开关应用以及超小尺寸表面贴装封装。
FAIRCHILD FDMS3662 说明书 FDMS3662 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 通道 Power Trench® MOSFET，额定电压为 100V，额定电流为 49A，额定导通电阻为 14.8mΩ。该 MOSFET 具有低导通电阻、MSL1 坚固型封装、100% UIL 测试、RoHS 兼容等特点。
FAIRCHILD FDMS3626S 说明书 FDMS3626S PowerTrench® Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款双PQFN封装的N沟道MOSFET，具有低内阻和高转换效率的特点。该器件适用于计算、通信、通用点负载和笔记本电脑等应用。
FAIRCHILD FDMS8320L 说明书 该FDMS8320L N-Channel PowerTrench® MOSFET具有低rDS(on)和高效率，适用于OringFET / Load Switching、Synchronous Rectification和DC-DC Conversion Power等场景
DIODES MMST6427 数据手册 MMMT6427 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 是Diodes Incorporated 出品的超小型表面贴装封装的开关晶体管。该晶体管采用 Epitaxial Planar Die Construction 工艺，具有高电流增益和低功耗放大和开关特性。
