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FAIRCHILD FDC2512 说明书

该产品是一款1.4A，150V的N通道MOSFET，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点，适用于DC/DC转换器等应用。

FAIRCHILD FDB86102LZ 说明书

FDB86102LZ是一款N-沟道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏极到源极电压，30A的漏极电流和24mΩ的最大导通电阻。它具有快速的开关速度和非常低的总电荷和栅极-漏极总电荷，适用于DC-DC转换、逆变器和同步整流器等应用。

FAIRCHILD FDB52N20 说明书

FDB52N20是一款200V的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.049Ω@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为49 nC），低Crss（典型值为66 pF），快速开关，100%雪崩测试，改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FDB44N25 说明书

FDB44N25是Fairchild生产的250V N-Channel MOSFET，具有44A的额定电流、0.069Ω的RDS(on)，低门极电荷和Crss，快速开关，100%的雪崩测试，以及改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 说明书

该文档介绍了FDB3682 / FDP3682 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力以及适用的应用领域。

FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632/FDH3632 说明书

FDB3632/FDP3632/FDI3632/FDH3632是N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压100V，额定电流80A，典型导通电阻7.5mΩ。

FAIRCHILD FDB3502 说明书

该PDF文件是关于FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET的产品手册，该产品具有Max rDS(on) = 47mΩ at VGS = 10V, ID = 6A，100% UIL Tested，RoHS Compliant等特点

FAIRCHILD FDB33N25/FDI33N25 说明书

该文档介绍了FDB33N25 / FDI33N25型250V N-Channel MOSFET的特点，包括33A的电流、250V的电压、低门电荷和低Crss等特性。

FAIRCHILD FDB28N30 说明书

该文件介绍了FDB28N30 N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试以及改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FDB2710 说明书

该文件介绍了FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，采用了先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。

FAIRCHILD FDB2614 说明书

FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。

FDD3682 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 100V 的最大电压、32A 的最大电流和 36mΩ 的典型导通电阻。该产品采用 PowerTrench 技术，具有低米勒电荷和低 QRR 体二极管特性，通过了 AEC Q101 认证，适用于 DC/DC 转换器和离线 UPS、分布式电源架构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V 汽车负载控制和电子凸轮轴系统等应用。

FAIRCHILD FDD3672 说明书

该文件介绍了FDD3672 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET的特点和特性，包括额定电压、电流、导通电阻、总电荷等参数。

FAIRCHILD FDD2670 说明书

该文件是FDD2670的英文数据表，介绍了FDD2670的特性，包括额定电压、额定电流、开关速度等

FAIRCHILD FDD2582 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66mOhm 数据手册

FDD2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型MOSFET，最大电压为150V，最大电流为21A，典型导通电阻为58mΩ。

FAIRCHILD FDD2572 / FDU2572 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm 数据手册

FDD2572 / FDU2572是一种N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应晶体管，具有150V电压、29A电流和54mΩ的导通电阻。它具有低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力和符合AEC Q101标准等特点。

FAIRCHILD FDD18N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

这份文档介绍了FDD18N20LZ N-Channel MOSFET的特点特性，包括最大额定电压、最大漏极电流、热特性等。

FAIRCHILD FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 14A, 120mOhm 数据手册

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低漏电流、低导通电阻、高耐压、高耐温的N沟道MOSFET，适用于DC/DC Converters和Off-line UPS、Distributed Power Architectures和VRMs、Primary Switch for 24V and 48V Systems、High Voltage Synchronous Rectifier、Direct Injection / Diesel Injection Systems、Electronic Valve Train Systems等应用场景。

FAIRCHILD FDD10N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

FDD10N20LZ是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为7.6A。该产品具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。

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FAIRCHILD FDC2612 说明书