FAIRCHILD FDA70N20 说明书 FDA70N20 200V N-Channel MOSFET是一款低阻抗、高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专利平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，适用于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDA69N25 说明书 该文件介绍了Fairchild半导体公司的UniFET TM FDA69N25 250V N-通道MOSFET产品的特点，包括69A的电流、250V的电压、低电荷和快速开关等特性。
FAIRCHILD FDA59N25 说明书 FDA59N25是Fairchild生产的一款250V的N沟道MOSFET，具有59A的最大电流，0.049Ω的RDS(on)，63nC的门控电荷，70pF的Crss，是高效开关模式电源和有源功率因数校正的理想选择。
FAIRCHILD FDA28N50F 说明书 这份文件介绍了Fairchild公司的UniFET TM FDA28N50F N-Channel MOSFET，该产品具有500V的电压、28A的电流和0.175Ω的电阻。其特点包括低门电荷、低输出电容、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力和符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDA28N50 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的UniFET TM FDA28N50 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的额定电压、28A的额定电流、0.155Ω的导通电阻等。
FAIRCHILD FDA24N50F 说明书 该文档介绍了Fairchild半导体公司的UniFET TM FDA24N50F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压，24A的漏极电流，0.2Ω的导通电阻等。
FAIRCHILD FDA24N50 说明书 FDA24N50 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一款高性能MOSFET，具有低阻抗、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试等特点，非常适合高效的电源转换和有源功率因数校正应用。
FAIRCHILD FDA24N40F 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的UniFET TM FDA24N40F N-Channel MOSFET的特性和特点。它具有400V电压、23A电流、0.19Ω电阻等特点，适用于高效的开关模式电源和主动功率因数校正。
FAIRCHILD FDA20N50F 说明书 FDA20N50F N-Channel MOSFET是一款高性能N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild生产。该器件具有低导通电阻、低栅极电容、快速开关速度、100%雪崩测试等特点，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正等应用。
Allegro ATS642LSH 说明书 ATS642LSH是一款优化的霍尔效应传感集成电路和磁铁组合，可为两线应用提供真正的零速数字齿轮齿感应用户友好型解决方案。传感器由一个一次性模塑塑料外壳组成，该外壳包括钐钴磁铁、极片和优化到磁路的霍尔效应IC。这种小型外壳具有优化的两线引线框架，可轻松装配并与各种齿轮形状和尺寸一起使用。集成电路采用双元素霍尔效应传感器和信号处理器，可提供高精度、可靠的齿轮齿感应。
FAIRCHILD FDA20N50 / FDA20N50_F109 说明书 FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild生产的采用DMOS技术的N通道增强型功率场效应晶体管。它具有22A，500V，RDS(on) = 0.23Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值45.6 nC），低Crss（典型值27 pF），快速开关，100％雪崩测试，改善的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FDA032N08 说明书 FDA032N08是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷、高性能Trench技术等特点，适用于DC/DC转换器/同步整流等应用场合。
FAIRCHILD FDC6320C 说明书 该文件介绍了1997年10月发布的FDC6320C双N&P通道数字场效应晶体管的特点和特性，包括工作电压、最大功率、温度范围等参数。该产品具有低电平门极驱动需求，可以直接在3V电路中操作。适用于替代双极数字晶体管的低压应用。
FAIRCHILD FDC6312P 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDC6312P双P通道1.8V指定MOSFET。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产，旨在最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6302P 说明书 FDC6302P是Fairchild的双P通道数字场效应晶体管，其最大耗散功率为0.9瓦，工作温度范围为-55至150℃。该器件适用于低压应用，可替代负载开关应用中的数字晶体管。
FAIRCHILD FDC5612 说明书 FDC5612是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，专门设计用于改善使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。这些MOSFET具有比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更快的开关速度和更低的门电荷。结果是一款更容易和更安全驱动的MOSFET（甚至在非常高频率下），以及具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
