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MiniMOS是一种先进的功率MOSFET器件系列，采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受高能量的雪崩和换向模式，并且漏极到源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低压、高速开关应用，其中功率效率很重要。典型应用包括直流-直流转换器，以及计算机、打印机、手机和无绳电话等便携式和电池供电产品中的电源管理。它们还可以用于磁存储产品（如硬盘驱动器和磁带驱动器）的低压电机控制。雪崩能量经过规定，消除了在开关感应负载时的猜测，并提供额外的安全裕量。

1 摩托罗拉 TMOS 功率 MOSFET 晶体管器件数据表 低压、高性能、中功率表面贴装产品 超低 RDS(on) 和逻辑电平性能

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MiniMOS设备是Motorola的一系列中功率表面贴装MOSFET，采用了Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换流模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS设备专为低电压、高速开关应用而设计，功率效率很重要。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）中的电源管理。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低电压电机控制。雪崩能量经过规定，以消除在开关电感负载中的设计猜测，并提供额外的安全裕量。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor设备数据中介绍了一系列中功率表面贴装产品的特点和特性。这些产品采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺，具有超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受avalanche和commutation模式下的高能量，并且漏极到源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS设备设计用于低电压、高速开关应用中，重视功率效率。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低电压电机控制。文档中还详细介绍了产品的特点和性能。

本文档提供了摩托罗拉TMOS功率MOSFET晶体管器件数据（中等功率表面贴装产品）的相关信息

FDMC86320 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低门极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能，适用于DC/DC转换器、电机桥开关和同步整流器等应用

FDMC86324是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-Channel Power Trench® MOSFET，额定电压80 V，最大电流20 A，导通电阻23 mΩ。该器件具有低剖面（1 mm max in Power 33）、100% UIL测试和RoHS合规等特点。

该文件介绍了FDMC86520L N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低电压和高电流下的性能等。

MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain–to–source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.

MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain–to–source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.

FDMC8882 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率管理和负载开关应用

FDME1023PZT双P通道功率沟槽MOSFET是一款 -20 V，-2.6 A，142 mΩ 的电源开关，具有低开关导通电阻和低功耗特性。

FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data介绍了MiniMOS系列的功率MOSFETs产品特点，包括超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该产品适用于低压、高速开关应用，能够承受高能量的雪崩和换向模式，并具有非常低的漏-源二极管反向恢复时间。

MiniMOS设备是高性能的功率MOSFET器件，可在低压、高频应用中实现高效电能转换。

该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。

FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。

FDMS0312S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V、42 A、4.9 mΩ 的 N 沟道功率晶体管。该产品采用先进的封装和硅技术组合，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。该产品还具有高效的单片 Schottky 体二极管，MSL1 坚固的封装设计，100% UIL 测试，符合 RoHS 标准。

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