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SUM MICROELECTRONICS STP1031 数据手册

本文件是关于STP1031LGA的供应商信息，包括供应商名称、联系方式等

SUM MICROELECTRONICS STP1080A 数据手册

STP1080ABGA-100供应商

ST STP10NA40, STP10NA40FI 数据手册

STP10NA40和STP10NA40FI是N通道增强模式快速功率MOS晶体管。其具有低RDS(on)和栅电荷、非常耐用和卓越的开关性能。适用于高电流、高速开关、开关模式电源，直流-交流变换器用于焊接设备和不间断电源和电机驱动。

ST STP10NB20, STP10NB20FP 数据手册

STP10NB20是SGS-Thomson公司设计的一款高性能N通道增强型MOSFET，其特点是RDS(on)低至0.3 欧姆、dv/dt能力强、100% 可击穿测试、固有电容低、栅极电荷最小。

ST STP10NB50, STP10NB50FP 数据手册

STP10NB50 / STP10NB50FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道500V/0.55Ω/10.6A功率MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt和低gate charge等特点，应用于高电流、高频率开关、开关电源、直流-交流变换器、电焊设备和不间断电源等。

ST STGP10NB60SFP 数据手册

STGP10NB60SFP是意法半导体出品的N沟道IGBT，最大电压600V，最大电流10A，封装类型为TO-220FP。

ST STP10NC50, STP10NC50FP 数据手册

STP10NC50/STP10NC50FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道高压MOSFET，采用最新的MESH OVERLAY工艺，具有极低的RDS(on)、超高的dv/dt能力和极低的寄生电容，广泛应用于高频高压开关电路中。

ST STP10NK60Z/FP, STB10NK60Z/-1, STW10NK60Z 数据手册

STB10NK60Z is a 600V-0.65Ω-10A N-channel Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET. It features a typical RDS(on) = 0.65 Ω, extremely high dv/dt capability, 100% avalanche tested, minimized gate charge and very low intrinsic capacitances. It is ideal for high current, high speed switching applications such as off-line power supplies, adaptors and PFC.

ST STP10NK70Z/STP10NK70ZFP 数据手册

STP10NK70Z/STP10NK70ZFP是ST公司的一款N通道700V低阻抗超级网格MOSFET，其典型RDS(on)为0.75欧姆，具有极高的dv/dt能力，非常适合高电流、高频开关应用。

ST STP10NK80Z/STP10NK80ZFP/STW10NK80Z 数据手册

该文件介绍了STP10NK80Z系列N沟道800V MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、极低的内在电容、很好的制造重复性等。

ST STP11NB40, STP11NB40FP 数据手册

STP11NB40和STP11NB40FP是N沟道400V功率MOSFET，具有0.48Ω的RDS(on)，极高的dV/dt能力，100%的雪崩测试，非常低的固有电容和最小化的栅极电荷。适用于高电流、高速开关、开关模式电源、直流-交流转换器、焊接设备、不间断电源和电动驱动。

ST STP11NC40, STP11NC40FP 数据手册

该文件介绍了一种N沟道400V - 0.44Ω - 9.5A TO-220/TO-220FP PowerMESH™II功率MOSFET的特点和特性。它具有极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，并且采用了新的高压基准。该产品适用于高电流、高速开关、开关模式电源、直流-交流转换器、焊接设备和不间断电源以及电机驱动器等应用。

ST STP11NK40Z/STP11NK40ZFP/STB11NK40Z 数据手册

该文件介绍了STP11NK40Z、STP11NK40ZFP和STB11NK40Z三种N沟道400V功率MOSFET的特点和特性，包括极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、100%的电流雪崩测试以及最小化的门电荷和固有电容。

ST STP11NK50Z/STP11NK50ZFP/STB11NK50Z 数据手册

该文件介绍了STP11NK50Z - STP11NK50ZFP STB11NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.48Ω - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、非常低的固有电容、非常好的制造重复性等。

ST STP11NM60/STP11NM60FP/STB11NM60/STB11NM60-1 数据手册

该文件介绍了ST公司的MDmesh™功率MOSFET产品系列，包括STP11NM60、STP11NM60FP、STB11NM60和STB11NM60-1型号。这些产品具有低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性，适用于提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高的效率。

ST STP11NM60A/STP11NM60AFP/STB11NM60A-1 数据手册

STP11NM60A/STP11NM60AFP/STB11NM60A-1是ST公司生产的一款N-CHANNEL 600V - 0.4Ω - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh™Power MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt、低输入电容和栅极电荷、低门极输入电阻等特点。

ST STP11NM60FD/STB11NM60FD/STP11NM60FDFP/STB11NM60FD-1 数据手册

STB11NM60FD-1 是 ST 公司的 600V N 沟道 MOSFET ，RDS(on) 典型值为 0.45 欧姆，具有高 dv/dt 和雪崩能力，100% 雪崩测试，低输入电容和栅极充电，低栅极输入电阻，紧密的工艺控制和高制造良率。

ST STB120NF10/STP120NF10 数据手册

STB120NF10/STP120NF10是STMicroelectronics生产的一款N-MOSFET，其特点是RDS(on)低至0.009 Ω，适合用作电源开关，可应用于电信和计算机领域。

SemiWell Semiconductor STP12A60 数据手册

STP12A60是SemiWell Semiconductor公司生产的一款双向三极晶闸管，其最大反向关断电压为600V，额定正向电流为12A，具有高开关dv/dt特性，适用于交流开关应用、相控应用等

ST STP12NB30/STP12NB30FP 数据手册

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