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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了STP10NK80Z系列N沟道800V MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、极低的内在电容、很好的制造重复性等。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 0E71C5E47674D4A3439BBF529ED4D0E5
发布时间: 07 August, 2012
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连接: ST STP10NK80Z/STP10NK80ZFP/STW10NK80Z 数据手册 PDF