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ST STP12NK30Z 数据手册

STP12NK30Z是ST公司的N-CHANNEL 300V - 0.36Ω - 9A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET，具有非常好的dv/dt能力，极低的寄生电容，优良的制造一致性。适用于开关电源、适配器和PFC等应用。

ST STB12NK80Z/STP12NK80Z/STW12NK80Z 数据手册

STP16CP596是一种单片、低压、低电流的16位移位寄存器，适用于LED面板显示。它包含一个16位串行输入、并行输出的移位寄存器，以及一个16位D型存储寄存器。在输出阶段，设计了16个稳定的电流源，提供3-50mA的恒定电流驱动LED。通过外部电阻，用户可以调整STP16CP596的输出电流，从而控制LED的光强度。STP16CP596保证了16V的输出驱动能力，允许用户连接更多的串联LED。高达25 MHz的时钟频率也满足了高速数据传输的系统要求。3.3V的电压供应非常适用于与任何3.3V的微控制器接口的应用。TSSOP外露焊盘相比标准TSSOP封装，具有2.5倍的散热能力。

ST STB12NK80Z/STP12NK80Z/STW12NK80Z 数据手册(1)

该文件介绍了ST的STB12NK80Z、STP12NK80Z和STW12NK80Z N沟道800V - 0.65Ω - 10.5A - TO220-D²PAK-TO247 Zener保护 SuperMESH™ MOSFET的特点和特性。产品具有极高的dv/dt能力、改进的ESD能力、100%的雪崩测试、最小化的栅极电荷、非常低的固有电容和非常好的制造重复性。

ST STP12NM50/STP12NM50FP/STB12NM50/STB12NM50-1 数据手册

STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-CHANNEL 550V @ Tjmax-0.30Ω - 12A TO-220/FP/D²/I²PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET 是一款高性能的MOSFET，具有出色的低阻抗、高dv/dt和优异的雪崩特性。该产品非常适合提高高压转换器的功率密度，从而实现系统小型化和更高效率。

ST STP12NM50FD/STP12NM50FDFP/STW14NM50FD/STB12NM50FD/STB12NM50FD-1 数据手册

该文件介绍了一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关和内置快速恢复二极管等特点。适用于桥式拓扑结构和零电压开关相位移转换器等应用。

ST STP12PF06 数据手册

STP12PF06 是STMicroelectronics 生产的一款N沟道电源MOS管，其最大特点是RDS(on) 低至0.18 欧姆，具有优异的dv/dt 能力，100% 雪崩测试，低栅极电荷，可应用于电机控制、DC-DC 和DC-AC 转换器等

ST STP130NS04ZB/STB130NS04ZB/STW130NS04ZB 数据手册

STP130NS04ZB是ST公司生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)典型值为7mΩ，100%Avalanche测试，低电容和栅极电荷，最大结温为175°C。

ST STB135N10/STP135N10 数据手册

这份文档介绍了STMicroelectronics公司开发的一种新产品的初步信息。该产品是一种N沟道功率MOSFET，具有低电阻、低门电荷和反向恢复电荷。适用于汽车、消费品、电信和工业等广泛领域的开关应用。

ST STP13NK60Z/FP, STB13NK60Z, STB13NK60Z-1, STW13NK60Z 数据手册

该文件介绍了ST公司生产的一系列超级MESH功率MOSFET产品的特点和特性。这些产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷和非常低的固有电容。适用于高电流、高速开关、离线电源、适配器和PFC以及照明等应用。

ST STB140NF55/STP140NF55 数据手册

STMicroelectronis的STB140NF55 STP140NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0065 Ω - 80A TO-220/D²PAK STripFET™ II POWER MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），具有广泛的应用场景，包括电机控制、高电流、开关应用和汽车环境。

ST STP140NF75/STP140NF75/STB140NF75-1 数据手册

STB140NF75 STP140NF75 STB140NF75-1是一种N-CHANNEL 75V - 0.0065Ω -120A D²PAK/I²PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET。它具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和制造可重复性高的特点。适用于高电流、高开关速度、电磁铁和继电器驱动以及汽车42V电池驱动等应用。

ST STP14NF06 数据手册

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ST STB14NF10/STP14NF10/STP14NF10FP 数据手册

STMicroelectronics STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET，是STMicroelectronics公司推出的一款功率MOSFET，其特点是输入电容和栅极电荷极低，适合用作电信和计算机应用的高效率、高频隔离DC-DC转换器的主开关，也适用于对栅极驱动要求低的任何应用场合。

ST STP14NF12/STP14NF12FP 数据手册

STP14NF12和STP14NF12FP是N通道MOSFET功率晶体管，具有低门电荷和输入电容，适用于高效隔离的DC-DC转换器、UPS和电机控制等应用。

ST STP14NK50Z, STP14NK50ZFP, STB14NK50Z, STB14NK50Z-1, STW14NK50Z 数据手册

该文件介绍了STP14NK50Z, STP14NK50ZFP, STB14NK50Z, STB14NK50Z-1, STW14NK50Z这几个型号的N沟道MOSFET产品的特点特性，包括极低的导通电阻，极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，最小化的门电荷，极低的内部电容，以及很好的制造重复性。

ST STP14NK60Z, STP14NK60ZFP, STB14NK60Z/-1, STW14NK60Z 数据手册

该文件介绍了一系列SuperMESH™ MOSFET产品的特点和特性，包括600V的工作电压、0.45Ω的RDS(on)、极高的dv/dt能力和100%经过雪崩测试等。这些产品适用于高电流、高速开关应用，特别适用于离线电源、适配器和功率因数校正器。

ST STB150NF55/STP150NF55/STW150NF55 数据手册

该数据表格是关于STMicroelectronis的STB150NF55 STP150NF55 STW150NF55 N-CHANNEL 55V - 0.005 Ω -120A D²PAK/TO-220/TO-247 STripFET™ II POWER MOSFET的特性介绍

ST STP15N05L/STP15N05LFI 数据手册

STP15N05L是一种N沟道增强型功率MOS管，具有低电阻、低门电荷、逻辑电平兼容输入等特点。可应用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器、汽车环境等领域。

ST STP15N06L/STP15N06LFI 数据手册

STP15N06L STP15N06LFI 是STMicroelectronics生产的一款N沟道增强型功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.115 欧姆。该晶体管适用于高电流、高速度开关、继电器驱动器、稳压器、DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、汽车环境(喷射、ABS、气囊、灯驱动器等)。

SemiWell Semiconductor STP16A60 数据手册

该文件介绍了STP16A60双向三极晶闸管的绝对最大额定值、电气特性和应用领域。