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更新: 30 September, 2023
STB11NM60FD-1 是 ST 公司的 600V N 沟道 MOSFET ，RDS(on) 典型值为 0.45 欧姆，具有高 dv/dt 和雪崩能力，100% 雪崩测试，低输入电容和栅极充电，低栅极输入电阻，紧密的工艺控制和高制造良率。
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MD5: F2CFDE42292D1DEF3669FD436367D883
发布时间: 07 August, 2012
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连接: ST STP11NM60FD/STB11NM60FD/STP11NM60FDFP/STB11NM60FD-1 数据手册 PDF