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SEMTECH STF203-15 THRU STF203-33 数据手册

STF203是一种组合EMI滤波器和线路终端设备，具有集成的TVS二极管，用于上游USB端口的使用。它采用专有技术构建，允许被动元件和TVS二极管集成在同一个封装中。每个设备将为一个上游USB端口提供终端、滤波和ESD保护。STF203是满足通用串行总线规范修订版1.1要求的一种易于实施的解决方案。线路终端是通过D+和D- USB线上的串联电阻实现的。添加到USB驱动器的串联电阻的值必须尽可能接近电缆的45Ω特征阻抗（90Ω平衡），以最小化传输线反射。它们提供的电阻值为15Ω（STF203-15）、22Ω（STF203-22）和33Ω（STF203-33）。根据USB规范，需要1.5kΩ上拉电阻来将设备识别为全速（连接到D+线）或低速（连接到D-线）设备。47pF电容器用于将高频能量旁路到地，并控制USB信号的边沿速率。TVS二极管提供（D+和D-）数据线和电压总线（VBUS）的ESD保护。

ST STD9NM60N/STD9NM60N-1/STP9NM60N/STF9NM60N 数据手册

该文件介绍了2005年5月1/9 STF24NF12 N-CHANNEL 120V - 0.070Ω - 24A - TO-220FP低门电荷STripFET™II MOSFET的特点和特性。

ST STP21NM50N/STF21NM50N/STW21NM50N/STB21NM50N/STB21NM50N-1 数据手册

STB21NM50N是ST公司推出的一款N沟道500V-0.15Ω-18A的MOSFET，采用第二代MDmesh技术，具有100%雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点，适用于高效率转换器。

ST STP22NM50/STP22NM50FP/STB22NM50/STB22NM50-1 数据手册

该文件介绍了STP22NM50和STB22NM50系列N沟道功率MOSFET的特点和特性，如低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性。

ST STP22NM60/STF22NM60/STB22NM60/STB22NM60-1/STW22NM60 数据手册

STP22NM60是ST公司的一款N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh™Power MOSFET，具有低输入电容和门极电荷，100%防雪崩测试，非常适合提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高效率。

ST STP25NM50N, STF25NM50N, STB25NM50N/-1, STW25NM50N 数据手册

STx25NM50N 是第二代 MDmesh 技术的产物，具有极低的导通电阻和栅极电容。适用于对效率要求最严苛的高压转换器

ST STP25NM60N, STF25NM60N, STB25NM60N/-1, STW25NM60N 数据手册

STP25NM60N 是一款由第二代 MDmesh 技术制造的 N 沟道 600V 0.140 欧姆 - 20A TO-220 / FP / D² / I²PAK / TO-247 功率 MOSFET。它具有世界上最低的导通电阻和门极电荷。它非常适合最苛刻的高效转换器。

interpoint STF28-461 EMI INPUT FILTER 数据手册

STF28-461 EMI FILTER 0.8 AMP EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT 是 Interpoint 公司生产的用于 SMSA flyback power converters 的 EMI 滤波器。

ST STQ2HNK60ZR-AP/STF2HNK60Z/STD2HNK60Z-1 数据手册

这是ST发布的STQ2HNK60ZR-AP，STF2HNK60Z，STD2HNK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 4.4Ω - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET的数据手册。该系列产品具有极高的dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新的高电压基准，门极电荷最小化等特点。

ST STF2NK60Z/STQ2NK60ZR-AP/STP2NK60Z/STD2NK60Z-1 数据手册

STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2Ω - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET 是ST公司生产的一款高性能MOSFET器件，其特点是RON典型值为7.2Ω，极高dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新一代高压基准，栅极电荷最小化。适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源(SMPS)、低功率、镇流器、CFL(紧凑型荧光灯)等应用。

ST STP3NK80Z/STF3NK80Z/STD3NK80Z/STD3NK80Z-1 数据手册

该文件介绍了STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3.8Ω - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET的特点特性。产品具有极高的dv/dt能力，100%经过雪崩测试，门电荷最小化，本征电容非常低，制造重复性非常好。

ST STP5NK100Z/STF5NK100Z/STW5NK100Z 数据手册

STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z 是 ST 公司的高压 MOSFET 产品，具有极低的 RDS(on) 和非常高的 dv/dt 能力。它适用于高电流、高速度开关应用，非常适合离线电源供应。

SEMTECH STF701 数据手册

该文件介绍了一款产品的特点特性，包含了品牌、型号等信息。

ST STF715/STN715 数据手册

STF715 STN715是NPN型三极管，采用平面技术制造，具有坚固的高性能。

ST STF817/STN817 数据手册

STF817 STN817是PNP中功率晶体管，采用平面技术制造，是坚固耐用的高性能器件。

ST AFM 1.0 数据手册

AFM 1.0是一个面向模糊逻辑的仿真工具，能够根据给定的输入-输出对，自动生成包含推理规则和函数描述参数的数据库，生成的数据库是输入过程/函数的最优近似。该工具能够将项目文件转换成FUZZYSTUDIO项目文件、MATLAB和C代码，从而将该环境作为仿真和控制的支持。

ST W.A.R.P. 1.1 数据手册

W.A.R.P. 1.1 是一款高性能的模糊逻辑控制器，支持多达 256 条规则（4 个前提、1 个结论），支持多达 16 个可配置输入变量、16 个输出变量，并提供软件工具和仿真器。

ST STB120NH03L/STP120NH03L 数据手册

STB120NH03L是ST公司的一款N-Channel 30V - 0.005Ω - 9A - TO-220/D2PAK STripFET™ III Power MOSFET for DC-DC Conversion，具有典型RDS(on) = 0.005Ω @ 10V，RDS(on) * Qg Industry’s Benchmark Low，Conduction Losses Reduced，Switching Losses Reduced，Low Threshold等特性，适用于高性能DC-DC converter applications

ST STP08CDC596 数据手册(1)

STP08CDC596是一款8位移位寄存器，采用了集成的错误检测功能，可以检测LED线路开路和短路，短接到GND，以及短接到LED电压供应。通过外部电阻，用户可以调整STP08CDC596的输出电流，控制LED的亮度。

ST STEVAL-IFP006V1 数据手册

该文件介绍了STMicroelectronics生产的STEVAL-IFP006V1四路高侧智能功率固态继电器评估板的特点和特性，包括短路负载保护、温度保护、过温保护、失地保护、电流限制等功能。该产品适用于可编程逻辑控制器（PLC）以及需要高达0.7A额定电流的一般负载驱动。具有低功耗和符合IEC 61131-2国际标准的特点。