IXYS说明书大全
IXYS IXFH 12N50F, IXFT 12N50F 数据手册
该文件是关于 IXYS 公司的 HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching 产品的技术信息。该产品具有 Low Qg, Low Intrinsic Rg, Low trr 等特点。
文件类型: PDF 大小:299 KB
IXYS IXFH/IXFM10N100, IXFH/IXFM12N100, IXFH13N100 数据手册
本文档主要介绍了IXFH和IXFM系列产品的最大额定值、特征值、封装、应用场景等信息。
文件类型: PDF 大小:81 KB
IXYS IXFH 13N50, IXFM13N50 数据手册
该文件介绍了IXYS公司生产的N沟道增强型高dv/dt，低trr，HDMOSTM系列产品的特点和特性。产品具有低RDS（on），耐压高，结构坚固等特点。适用于DC-DC转换器，不间断电源，电池充电器，开关模式和谐振模式电源等应用。
文件类型: PDF 大小:81 KB
IXYS IXFC 15N80Q 数据手册
这是 IXFC 15N80Q 数据表。IXFC 15N80Q 是一款 Q 类 N 通道增强型击穿额定、高 dv/dt、低 Qg 的 HiPerFETTM ISOPLUS 220TM MOSFET。它具有以下特点：硅芯片直接铜键合基板 - 高功耗耗散 - 隔离安装表面 - 2500V 电气隔离 - 低漏极到标签电容 (<35pF) - 低 RDS (on) - 坚固的多晶硅栅极单元结构 - 未箝制感性开关 (UIS) 额定 - 快速固有整流器。应用领域包括 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器和 AC 电机控制。优点包括易于组装：无需螺钉或隔离箔 - 节省空间 - 高功率密度
文件类型: PDF 大小:509 KB
IXYS IXFC 26N50, IXFC 24N50 数据手册
该文件介绍了IXYS的产品特点和特性，包括高功率耗散、隔离安装表面、低漏极到导体电容、低导通电阻等特点。
文件类型: PDF 大小:66 KB
IXYS IXFC52N30P 数据手册
该文档介绍了 IXYS 公司的 IXFC52N30P 型号的 PolarHTTM HiPerFET 功率 MOSFET 产品的特点和特性。它具有高功率耗散、隔离安装表面、2500V 电气隔离以及低漏极对接电容等特点。
文件类型: PDF 大小:93 KB
IXYS IXFC 80N10 数据手册
该文件介绍了IXYS公司的一款N-Channel Enhancement Mode高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列的HiPerFETTM MOSFET产品。该产品具有ISOPLUS220TM特性，采用硅芯片和直接铜键合基板，具有高功率耗散、隔离安装表面和2500V电气隔离等特点。此外，该产品还具有低漏极到导热片电容(<35pF)、低RDS (on)和坚固的多晶硅栅电池结构等特性。
文件类型: PDF 大小:68 KB
IXYS IXFE 44N60 数据手册
该产品是一款N沟道增强型击穿额定高dv/dt低trr的单芯片MOSFET，具有低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的聚硅栅极单元结构、非钳位感应开关（UIS）额定、低封装电感和快速固有整流器等特点。
文件类型: PDF 大小:81 KB
IXYS IXFE 80N50 数据手册
IXFE 80N50是一款N通道增强型雪崩额定功率MOSFET，具有低RDS（on）和高dv/dt。该器件采用HDMOSTM工艺，具有低RDS（on），坚固的多晶硅栅单元结构，无钳位感性开关（UIS）额定，低封装电感和快速固有整流器。
文件类型: PDF 大小:80 KB
IXYS IXFH 6N100F, IXFT 6N100F 数据手册
该文档介绍了IXYS的产品特点和特性，包括RF能力、低门电阻、抗冲击能力、低包装电感、快速整流器等。适用于DC-DC转换器、开关电源、脉冲发生器、激光驱动器和射频放大器等应用。
文件类型: PDF 大小:818 KB
IXYS IXGH24N50B IXGH24N60B 数据手册
IXGH24N50B/24N60B是IXYS生产的高频IGBT，具有高电流处理能力、高功率密度、高开关速度等特点，适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源、开关模式和谐振模式电源等领域。
文件类型: PDF 大小:97 KB
IXYS DE375-501N21A Data Sheet
DE375-501N21A RF Power MOSFET 是一款由 IXYS 公司生产的 RF 功率 MOSFET，其最大额定值为 VDSS = 500 V，ID25 = 25 A，RDS(on) = 0.22 Ω，PDC = 940 W。其特点是具有高隔离电压（>2500V）、优异的热传导、增加的温度和功率循环能力、低栅极电荷和电容、更容易驱动、更快的开关、低 RDS(on)、非常低的插入电感（<2nH）以及无氧化铍（BeO）等有害物质。
文件类型: PDF 大小:169 KB
IXYS IXFH/IXFM21N50, IXFH/IXFM/IXFT24N50, IXFH/IXFT26N50 HiPerFET Power MOSFETs
21N50, 24N50, 26N50 是 IXYS 公司的 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 系列产品，具有低 RDS(on) HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未箝位感应开关 (UIS) 额定、低封装电感-易于驱动和保护、快速固有整流器等特点。
文件类型: PDF 大小:163 KB
IXYS DSS 25-0025B 数据手册
DSS 25-0025B是IXYS生产的肖特基整流器，具有国际标准封装、非常低的VF、极低的开关损耗、低IRM值、环氧树脂符合UL 94V-0。应用于开关电源中的整流器（SMPS）和低压转换器中的自由轮转二极管。
文件类型: PDF 大小:144 KB
IXYS IXGH20N30 数据手册
ixys IXGH20N30是一款高功率密度、高开关速度的igbt，适用于ac电机速度控制、dc伺服和机器人驱动、dc斩波器、ups、开关模式和谐振模式电源等应用。
文件类型: PDF 大小:34 KB