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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了IXYS公司的一款N-Channel Enhancement Mode高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列的HiPerFETTM MOSFET产品。该产品具有ISOPLUS220TM特性，采用硅芯片和直接铜键合基板，具有高功率耗散、隔离安装表面和2500V电气隔离等特点。此外，该产品还具有低漏极到导热片电容(<35pF)、低RDS (on)和坚固的多晶硅栅电池结构等特性。
文件格式: PDF
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MD5: 647C8224D3B1FB4F59EDBD67F91AB7AC
发布时间: 15 June, 2012
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