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更新: 30 September, 2023
该产品是一款N沟道增强型击穿额定高dv/dt低trr的单芯片MOSFET，具有低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的聚硅栅极单元结构、非钳位感应开关（UIS）额定、低封装电感和快速固有整流器等特点。
文件格式: PDF
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MD5: D4511DE5DAD6E0DD222CD0DA55177DA4
发布时间: 15 June, 2012
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