IXYS说明书大全

该数据表格列出了MEA95-06 DA, MEK 95-06 DA, MEE 95-06 DA 三款产品的参数信息，包括额定电流、额定电压、反向恢复时间、开关损耗、软恢复特性、绝缘电压、应用场景、优点等。

文件类型: PDF 大小:54 KB

该文件介绍了IXYS公司生产的Phase Control Thyristors -Phaseleg Topology- in ISOPLUS i4-PACTM 1 5 FCC 21-12io产品的特点和特性，包括长期稳定性、高可靠性、低耦合容量和扩大的爬电距离等。该产品适用于控制整流器、电源和驱动器等应用领域。

文件类型: PDF 大小:46 KB

1

文件类型: PDF 大小:133 KB

IXEH 40N120是一款NPT3 IGBT，具有低饱和电压、正温度系数、快速开关和短尾电流等特点，适用于AC驱动、DC驱动和斩波器、不间断电源(UPS)、开关模式和谐振模式电源以及感应加热、炊具等应用。

文件类型: PDF 大小:109 KB

DSS 2x121-0045B is a power Schottky rectifier from IXYS. It has a very low VF and extremely low switching losses. It is widely used in rectifiers and free wheeling diodes.

文件类型: PDF 大小:52 KB

DSSK 20-013A DSSK 20-015A是XYS公司的一款功率肖特基二极管，具有非常低的VF和非常低的开关损耗，适用于开关电源和低压转换器。

文件类型: PDF 大小:41 KB

该文档是IDM公司关于VUO 25系列肖特基二极管的产品手册，介绍了该系列二极管的特点特性，包括反向电压、正向电流、漏电流、功率损耗、开关损耗、温升等。

文件类型: PDF 大小:72 KB

50N50/55N50是IXYS推出的一款N沟道MOSFET器件，具有500V的最大电压，50A的最大电流，100mΩ的导通电阻。

文件类型: PDF 大小:92 KB

这是一个DSSK 60-0045A数据表，它是XYS公司的一款肖特基二极管，具有非常低的VF、极低的开关损耗、低的IRM值、环氧树脂符合UL 94V-0标准。

文件类型: PDF 大小:155 KB

本文件是关于XYS 824 DSS 2x160-01A 的相关信息，包括产品的特点特性、最大额定值、应用场景、优点、尺寸等

文件类型: PDF 大小:42 KB

该文件介绍了IXYS IXDN404 / IXDI404 / IXDF404产品的特点和特性，包括采用CMOS和IXYS HDMOSTM工艺、高峰值输出电流、宽工作范围、驱动能力强等。

文件类型: PDF 大小:761 KB

该文件介绍了IXYS的高压功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS(on)、额定非钳制电感负载开关（UIS）等。

文件类型: PDF 大小:559 KB

该文档介绍了IXYS公司的DSEP 2x 60-12A HiPerFREDTM外延二极管的特点和特性。该产品具有国际标准封装、隔离电压2500V~、超短恢复时间、极低开关损耗、低IRM值和软恢复行为等特点。适用于高频开关装置的反并联二极管、抗饱和二极管、缓冲二极管、变换器和电机控制电路中的自由轮二极管、开关模式电源(SMPS)中的整流器以及感应加热等应用。

文件类型: PDF 大小:31 KB

该数据表格主要介绍了30N60B/C IGBT的参数特性，包括最大额定电压、最大额定电流、开关特性、热特性、尺寸重量等。

文件类型: PDF 大小:132 KB

该产品是一款开关控制器，适用于三相交流电路，可用于软启动交流电机控制器、固态开关和照明、温度控制等应用。其特点包括易于安装、节省空间和重量，以及改进的温度和功率循环。

文件类型: PDF 大小:69 KB

该文件是关于IXYS公司生产的MDD 310高功率二极管模块的介绍。该模块具有较高的额定电流和额定电压，并具有低功率损耗和低导通压降等特点。

文件类型: PDF 大小:116 KB

IXYS Corporation推出了新的高电流PolarHT和PolarHV功率MOSFET，为基于IXYS PolarHT/HV技术的广泛高功率转换应用带来了更多的设计灵活性。这些新的功率MOSFET体现了IXYS Corporation在高电流、高电压功率转换市场的领导地位。IXYS提供了多种新型的高电流PolarHT/HV功率MOSFET。电压范围从300V到800V，电流高达140A。这些功率MOSFET提供多种不同的封装，包括标准的TO-264和各种IXYS ISOPLUSTM封装，其中提供了背面封装绝缘。这些新器件都经过了HiPerFET™处理，产生了具有低Qrr和增强的dV/dt耐用性的功率MOSFET。

文件类型: PDF 大小:25 KB

该文件为IXFH20N80Q的数据手册，介绍了该产品的特点特性，包括最大电压、最大电流、导通电阻等。

文件类型: PDF 大小:150 KB

IXFK 140N30P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，额定电压300V，最大电流140A，开关时间200ns。

文件类型: PDF 大小:232 KB

CS 19-08ho1和CS 19-12ho1是IXYS生产的一款双相控制晶闸管，最大额定电压为800-1200V，最大额定电流为29A和19A。

文件类型: PDF 大小:67 KB