IXYS说明书大全
IXYS IXFH8N80 IXFH9N80 数据手册
该文件介绍了新一代12英寸MacBook Pro的功能和特点。新一代MacBook Pro搭载了M1 Max芯片，这款芯片是苹果迄今为止最强大的笔记本电脑芯片。M1 Max芯片采用8颗高性能核心和2颗高能效核心，总计10个核心。M1 Max芯片还配备了32核GPU和16核神经引擎。新一代MacBook Pro还配备了16英寸Liquid Retina XDR显示屏，这款显示屏具有1000尼特的峰值亮度和1600万像素的像素密度。新一代MacBook Pro还配备了1080p FaceTime HD摄像头和6扬声器音响系统。
文件类型: PDF 大小:204 KB
IXYS IXFH 9N80Q/IXFT 9N80Q 数据手册
该文件介绍了IXYS的产品特点和特性，包括低Qg、高dv/dt、国际标准封装、低RDS (on)、无钳位感应开关（UIS）等。
文件类型: PDF 大小:90 KB
IXYS IXFJ 32N50Q 数据手册
该数据表是关于IXYS N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family的产品信息
文件类型: PDF 大小:87 KB
IXYS IXFJ 40N30 数据手册
该数据表提供了HiPerFETTM功率MOSFET N-通道增强型高dv/dt，低trr，HDMOSTM系列的最大额定值、特性值等信息。
文件类型: PDF 大小:33 KB
IXYS IXFK100N10/IXFN150N10 数据手册
ixfk ixfn是ixys公司生产的一款mosfet，特点包括国际标准封装、低rdson、可承受高dv/dt和低trr、应用于dc-dc转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、dc斩波器、温度和照明控制等。
文件类型: PDF 大小:114 KB
IXYS IXFH 60N20F IXFT 60N20F 数据手册
该文件介绍了IXYS的HiPerRFTM功率MOSFET，具有RF能力、低门级电阻、低包装电感、高电压和电流承受能力等特点。适用于DC-DC转换器、开关电源、脉冲发生器和RF放大器等应用。
文件类型: PDF 大小:103 KB
IXYS IXFH 60N25Q IXFK 60N25Q IXFT 60N25Q 数据手册
本文件是关于ixfh系列mosfet的产品数据手册，包括了该系列产品的特点特性、参数规格、应用电路等
文件类型: PDF 大小:71 KB
IXYS IXFH 66N20Q IXFT 66N20Q 数据手册
该文档介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET系列产品的特点和特性，包括先进的低Qg工艺、国际标准封装、低栅极电荷和电容、低RDS(on)、抗击穿能力强等优点。
文件类型: PDF 大小:157 KB
IXYS IXFH/IXFM6N90 IXFH/IXFM6N100 数据手册
提供 HiPerFETTM 功率 MOSFET 的技术参数，包括最大电压、最大电流、最大功率、最大温度等。
文件类型: PDF 大小:76 KB
IXYS IXFH/IXFT 68N20 IXFH/IXFT74N20 数据手册
本白皮书旨在帮助企业了解云原生技术带来的价值，并帮助企业实现从传统 IT 到云原生 IT 的转型。本白皮书从云原生技术的定义、特征、优势、应用场景和技术体系等方面进行了介绍，并对云原生技术的未来发展趋势进行了展望。
文件类型: PDF 大小:131 KB
IXYS IXFH/IXFM 67 N10, IXFH/IXFM 75 N10 数据手册
HiPerFETTM 功率 MOSFET 是 N 沟道增强型，具有高 dv/dt、低 trr 和 HDMOSTM 家族。
文件类型: PDF 大小:94 KB
IXYS IXFH 76 N06-11/N06-12/N07-11/N07-12 数据手册
该文件介绍了IXYS公司生产的HiPerFETTM功率MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、符号测试条件、最大电气性能参数等。
文件类型: PDF 大小:80 KB
IXYS IXFH/IXFT 30N50, IXFH/IXFT 32N50 数据手册
本文档介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET产品系列，主要特点包括国际标准封装、低RDS(on)、强大的极耐高压、快速的内部二极管等。适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源等应用。
文件类型: PDF 大小:107 KB
IXYS IXFH 40N30Q, IXFT 40N30Q 数据手册
该文档介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFETs产品的特点和特性，包括国际标准封装、低门电荷和电容、低导通电阻等。
文件类型: PDF 大小:52 KB
IXYS IXFH 40N50Q, IXFT 40N50Q 数据手册
IXFH/IXFT 是 IXYS 发布的一款 N 沟道增强型 MOSFET 器件，其额定电压为 500 V，额定电流为 40 A，具有低栅极电荷和电容，易于驱动，开关速度快。该器件采用国际标准封装，具有低 RDS(on)，额定为未箝位感性负载开关 (UIS)，以及 UL 94 V-0 阻燃等级的模塑环氧树脂。
文件类型: PDF 大小:164 KB
IXYS IXFH 52N30Q, IXFK 52N30Q, IXFT 52N30Q 数据手册
该数据表列出了HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances 的特性参数。
文件类型: PDF 大小:70 KB
IXYS IXFH/IXFM42N20, IXFH/IXFM/IXFT50N20, IXFH/IXFT58N20 数据手册
该文件介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET系列产品。这些产品是N沟道增强型高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列。其特点包括国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、无钳位感性开关（UIS）评级、低封装电感、易于驱动和保护、快速整流器等。适用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC切割等应用。
文件类型: PDF 大小:104 KB