FAIRCHILD FDMA3027PZ 说明书 FDMA3027PZ是一款双通道功率型MOSFET，最大漏源电阻为87 mΩ，工作电压为-30 V，漏极电流为-3.3 A。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，具有优异的热性能，适用于线性模式应用。此外，该器件还具有HBM ESD保护功能。
FAIRCHILD FDMA3028N 说明书 FDMA3028N是由Fairchild Semiconductor Corporation公司发布的双N通道PowerTrench®MOSFET，其最大特点是开关电阻小，最小可以达到68mΩ，同时具有低封装体积和高导热性。
FAIRCHILD FDMA410NZ 说明书 FDMA410NZ是Fairchild Semiconductor Corporation的单N通道1.5V PowerTrench® MOSFET，其最大漏源电阻为23 mΩ，额定电压为20V，最大电流为9.5A。
FAIRCHILD FDMA420NZ 说明书 FDMA420NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET是一种低阻抗的N沟道功率MOSFET，具有4.5 V的低开关损耗和2.5 V的低导通电阻。它适用于各种应用，如锂离子电池组。
FAIRCHILD FDMA430NZ 说明书 这是一份关于FDMA430NZ单N-通道2.5V指定PowerTrench® MOSFET的文档。该产品采用了Fairchild Semiconductor公司先进的Power Trench工艺设计，以优化RDS(on) @VGS=2.5V和特殊的MicroFET引线框架。该产品适用于锂离子电池组等应用。
FAIRCHILD FDMA507PZ 说明书 该文档介绍了FDMA507PZ P-通道功率MOSFET的特性和特点，包括最大rDS(on)为24 mΩ、低剖面（0.8 mm最大）微型FET 2X2 mm封装、HBM ESD保护等级>3.2K V典型值等
FAIRCHILD FDMA510PZ 说明书 FDMA510PZ是一款单极P通道PowerTrench®MOSFET，其最大漏源电压为–20V，最大漏源电流为–7.8A，最大导通电阻为30mΩ，具有低功耗、高耐压、高开关速度等特点，适用于电池充电或负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMA530PZ 说明书 该文件介绍了2011年6月发布的FDMA530PZ单P-通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品适用于电池充电或负载开关等超便携应用。它具有低导通电阻的MOSFET和出色的热性能。
FAIRCHILD FDMA6023PZT 说明书 FDMA6023PZT是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，工作电压为-20V，最大漏源电阻为60 mΩ，适用于电池充电开关、电池管理和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMA7628 说明书 这是一份关于FDMA7628单N通道1.5V规定的PowerTrench® MOSFET的文档。该产品具有最大rDS(on)为14.5 mΩ，最大电压为20V，最大电流为9.4A，最大功耗为1.9W。它采用了低剖面设计，尺寸为2x2mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA7630 说明书 FDMA7630是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为11A，最大导通电阻为13mΩ。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，厚度仅0.8mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA7632 说明书 FDMA7632是Fairchild公司推出的一款N通道功率晶体管，其最大漏源电压为30V，最大电流为9A，典型导通电阻为19mΩ，在4.5V的栅源电压下，最大导通电阻为30mΩ，该器件采用MicroFET 2x2 mm的新封装，高度仅为0.8mm，符合RoHS标准。
