FAIRCHILD FDD86110 说明书 FDD86110 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道功率MOSFET,额定电压为100 V,额定电流为50 A,最大导通电阻为10.2 mΩ,是DC-DC转换应用的理想选择。
FAIRCHILD FDD86113LZ 说明书 FDD86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款功能强大的MOSFET产品,具有低电阻、高电力和电流处理能力的特点,并采用先进的Power Trench®工艺生产。
FAIRCHILD FDD86250 说明书 FDD86250 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道MOSFET,其最大导通电阻为22 mΩ,额定电压为150 V,最大电流为50 A,应用于DC - DC转换。
FAIRCHILD FDD86252 说明书 FDD86252 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一种N通道MOSFET,其最大特点是具有低导通电阻和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDD8770/FDU8770 说明书 FDD8770/FDU8770 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET,该MOSFET具有低门极电荷、低rDS(on)和快速开关速度,非常适合于DC/DC转换器。
FAIRCHILD FDD8778/FDU8778 说明书 FDD8778/FDU8778 N-Channel PowerTrench® MOSFET是25V, 35A, 14mΩ特性的N通道MOSFET,具有低栅极电荷、低rDS(on)和快速开关速度,适用于DC-DC转换器、VRM等应用
FAIRCHILD FDD8780/FDU8780 说明书 FDD8780/FDU8780 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET,该器件具有低栅极电容、低导通电阻和快速开关速度等特点,应用于桌面计算机和服务器的Vcore DC-DC以及中间总线架构VRM中。
FAIRCHILD FDD8782/FDU8782 说明书 FDD8782/FDU8782 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET,该MOSFET具有低门极电荷、低rDS(on)和快速开关速度,可应用于Vcore DC-DC、VRM等。
FAIRCHILD FDD8796/FDU8796 说明书 FDD8796/FDU8796 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N沟道MOSFET,其特点是低门极电荷、低导通电阻和快速开关速度,应用于Vcore DC-DC和VRM等领域。
FAIRCHILD FDD8874 / FDU8874 说明书 该文档介绍了FDD8874 / FDU8874 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性,主要用于提高DC/DC转换器的效率。
FAIRCHILD FDD8876 / FDU8876 说明书 FDD8876是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET,其额定电压为30V,最大电流为73A,典型导通电阻为8.2mΩ,适用于DC/DC转换器。
FAIRCHILD FDD8880 说明书 FDD8880 是 N 沟道 PowerTrench® MOSFET,额定电压为 30V,额定电流为 58A,RDS(ON) 为 9mΩ,适用于 DC/DC 转换器,具有低栅极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关速度等特点。
FAIRCHILD FDD8882/FDU8882 说明书 FDD8882 / FDU8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低阻断电压、高电流耐受能力的N通道MOSFET,适用于DC/DC转换器等应用。