FAIRCHILD FDMA8878 说明书 FDMA8878是一款单N通道高性能Power Trench MOSFET，具有极低的RDS(on)、快速的切换速度，符合RoHS标准。应用领域包括DC/DC Buck转换器、笔记本电池供电管理等。
FAIRCHILD FDMA8884 说明书 本文档介绍了2012年4月发布的FDMA8884 N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能沟道技术、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDMB2307NZ 说明书 该文件介绍了FDMB2307NZ双共源N沟道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低轮廓封装、HBM ESD保护等。该产品专为锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计。
FAIRCHILD FDMB3800N 说明书 FDMB3800N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低门极电荷等特点
FAIRCHILD FDMB3900AN 说明书 这份文档介绍了FDMB3900AN Dual N-Channel Power Trench® MOSFETTM产品的特点和特性，包括最大电阻、开关速度等。
FAIRCHILD FDMB668P 说明书 FDMB668P是一种低压P通道MOSFET，具有低RDS(on)，适用于便携式应用。它集成了一种P通道MOSFET，具有最小的开启状态电阻，并将其集成到MicroFET 3x1.9封装中，从而实现了效率、热传递和小型化之间的最佳平衡。当优化便携式应用的尺寸时，这款小装置提供了一种非常有效的解决方案。
FAIRCHILD FDMC15N06 说明书 FDMC15N06是一款N沟道MOSFET功率器件，具有55V的漏极到源极电压、15A的漏极电流和0.090Ω的导通电阻。该器件采用了先进的UItraFET工艺，具有最低的单位硅面积导通电阻，性能优异。它能够承受高能量的雪崩模式，且二极管具有非常低的反向恢复时间和储存电荷。适用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。
FAIRCHILD FDMC2512SDC 说明书 FDMC2512SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM是一款低导通电阻的N沟道MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺，具有极低的Junction-to-Ambient热阻，极低的rDS(on)，并具有高效的monolithic Schottky body二极管。
FAIRCHILD FDD8451 说明书 FDD8451 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低栅极电荷、快速开关速度和极低的rDS(on)。它可以用在DC/DC转换器和背光逆变器等应用中。
FAIRCHILD FDD8453LZ 说明书 FDD8453LZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET，额定电压为40V，最大电流为50A，最大导通电阻为6.7mΩ。
FAIRCHILD FDD86102 说明书 FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，其最大导通电阻为24 mΩ，额定工作电压为100 V，额定工作电流为36 A。
FAIRCHILD FDD86102LZ 说明书 FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的高性能 MOSFET，具有最大 22.5 mΩ 的导通电阻，适用于 DC-DC 转换、逆变器和同步整流器等应用。
