FAIRCHILD FDMC8026S 说明书 FDMC8026S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V, 21 A, 4.4 mΩ 的 MOSFET。该器件具有低 rDS(on)、高效率、SyncFET Schottky Body Diode 和 MSL1 坚固的封装设计等特点。
FAIRCHILD FDMC8030 说明书 FDMC8030是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道MOSFET，额定电压为40V，额定电流为12A，典型阻抗为10mΩ。
FAIRCHILD FDMC8200 说明书 FDMC8200是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET产品，其特点是具有9.5mΩ和20mΩ的低RDS(on)，适用于移动计算、移动互联网设备等应用场景。
FAIRCHILD FDMC8200S 说明书 FDMC8200S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为30 V，最大导通电阻为10 mΩ，20 mΩ。
FAIRCHILD FDMC8321L 说明书 FDMC8321L是一款N沟道功率MOSFET，最大漏极-源极电压为40V，最大漏极-源极电流为49A，最大导通电阻为2.5mΩ。它采用先进的封装和硅片组合，具有低导通电阻和高效率；采用了下一代改进的体二极管技术，具有软恢复特性；通过100%的UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMC8327L 说明书 FDMC8327L N-Channel PowerTrench® MOSFET是一种40 V、14 A、9.7 mΩ的N通道MOSFET。它具有低RDS(on)、低功耗和高可靠性等特点，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDMC8462 说明书 该文档是关于FDMC8462 N-Channel Power Trench® MOSFET的型号说明书，包括产品特点、最大额定值、应用、特性、技术参数等信息。
FAIRCHILD FDMC8554 说明书 FDMC8554 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是最大导通电阻5mΩ，封装为3.3x3.3 mm MicroFET，符合RoHS标准
FAIRCHILD FDMC8588DC 说明书(1) FDMC8588DC是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有25V、40A、5.7 mΩ的特点。它具有先进的开关性能，降低了输出电容、门电阻和门电荷，提高了效率。采用屏蔽门技术，减少开关节点振铃，并增加了抗电磁干扰和交叉导通的能力。
FAIRCHILD FDMC86102 说明书 FDMC86102 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一种高性能的功率MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度，可应用于DC-DC转换电路。
FAIRCHILD FDMC86102L 说明书 FDMC86102L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道Power Trench® MOSFET，额定电压为100V，额定电流为18A，额定导通电阻为23mΩ。该产品具有超低的导通电阻，低封装高度，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMC86102LZ 说明书 FDMC86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制成，具有出色的开关性能和高ESD保护等特性。
FAIRCHILD FDMC86116LZ 说明书 FDMC86116LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种逻辑电平MOSFET，其最大RDS(on)为103 mΩ，最大电流为7.5 A。它具有HBM ESD保护等级> 3 KV，100% UIL测试，RoHS兼容等特点。
