FAIRCHILD FDMS8023S 数据手册 本文件介绍了FDMS8023S N通道PowerTrench® SyncFETTM，这是一种高性能的同步整流器，可用于DC/DC转换器、笔记本电脑Vcore/GPU低侧开关、网络点负载低侧开关和电信次级侧整流器。该器件采用最先进的硅和封装技术，在保持出色开关性能的同时，提供最低的rDS(on)。
FAIRCHILD FDMS8025S 数据手册 FDMS8025S N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30 V, 49 A, 2.8 mΩ 是一款高性能的功率器件，采用先进的封装和硅片技术相结合，具有超低的导通电阻、低损耗、高效率、高可靠性等特点。
FAIRCHILD FDMS8026S 数据手册 FDMS8026S是一款N通道PowerTrench® SyncFETTM功率MOSFET，工作电压为30V，最大漏源电阻为4.3mΩ，最大漏源电阻为5.2mΩ。该产品采用先进的封装和硅组合技术，可实现低漏源电阻和高效率。此外，它还具有高效的单片式肖特基二极管。适用于直流/直流转换器的同步整流器、笔记本电脑的Vcore/GPU低侧开关、网络点对点低侧开关和电信的二次侧整流。
FAIRCHILD FDMS8027S 说明书 FDMS8027S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® SyncFETTM，其最大电压为30V，最大电流为22A，最小导通电阻为5.0mΩ。这款器件具有高效率、低导通电阻和良好的开关性能。
ROHM MMST918 / PN918 数据手册 该文档介绍了MMST918 / PN918半导体器件的特点和特性，包括高频率传输和高电流增益带宽积。同时提供了器件的封装、标记和包装规格以及绝对最大额定值和外部尺寸信息。
DIODES MMST6427 数据手册 MMMT6427 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR 是Diodes Incorporated 出品的超小型表面贴装封装的开关晶体管。该晶体管采用 Epitaxial Planar Die Construction 工艺，具有高电流增益和低功耗放大和开关特性。
FAIRCHILD FDMS8320L 说明书 该FDMS8320L N-Channel PowerTrench® MOSFET具有低rDS(on)和高效率，适用于OringFET / Load Switching、Synchronous Rectification和DC-DC Conversion Power等场景
DIODES MMST5551 数据手册 MMST5551是ON Semiconductor推出的一款NPN小信号表面贴装晶体管，适用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有Epitaxial Planar Die结构，集成度高，功耗低，封装为SOT-323。
FAIRCHILD FDMS8460 说明书 FDMS8460 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是最大导通电阻(RDS(on))仅为2.2mΩ。适用于DC-DC转换应用场景。
DIODES MMST5401 数据手册 MMST5401是MMST5551的互补型PNP晶体管,其封装是SOT-323,额定电压-160V,电流-200mA,功耗200mW,工作温度范围-55到+150度
FAIRCHILD FDMS8558S 说明书 FDMS8558S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻和同步肖特基体二极管。
FAIRCHILD FDMS8558SDC 说明书 FDMS8558SDC N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款低阻抗的N沟道同步整流器，采用先进的PowerTrench®工艺，在极低的结温下实现了最高的转换效率。
FAIRCHILD FDMS8570S 说明书 FDMS8570S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是一款高性能的功率器件，采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造。该器件具有极低的 Rds（on），非常适合 DC/DC 转换器、电信二级侧整流器和高端服务器/工作站等应用。
