工业器械 - 第1905页

FDMS2504SDC是一款N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor公司的先进PowerTrench®工艺生产。它具有极低的rDS(on)和优秀的开关性能，并且具有高效的单片肖特基二极管。

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FDMS039N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低FOM、低反向恢复电荷的N沟道MOSFET，适用于同步整流、电池充电器、电机驱动等应用

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FDMS0312S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V、42 A、4.9 mΩ 的 N 沟道功率晶体管。该产品采用先进的封装和硅技术组合，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。该产品还具有高效的单片 Schottky 体二极管，MSL1 坚固的封装设计，100% UIL 测试，符合 RoHS 标准。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data is an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.

该文件介绍了Motorola TMOS Power MOSFET Transistor的特点和特性。这些器件采用了Motorola的High Cell Density TMOS工艺，并包含单片的反向并联稳压二极管，提供了防静电击和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，并且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有重要的功率效率。典型应用包括DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于磁存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。

该文件介绍了FDMS015N04B N-Channel PowerTrench® MOSFET的最大额定值、热特性和特点。该产品具有低RDS(on)和高效率的特点，并且采用了先进的封装和硅材料组合。适用于服务器/电信电源单元、电池充电器和电池保护电路、直流电机驱动和不间断电源等应用。

FDMQ8403是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N通道功率MOSFET，额定电压为100V，额定电流为6A，最大导通电阻为110mΩ。

FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。

Motorola TMOS Power MOSFET晶体管是一种中功率表面贴装产品，采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS（on）和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低压、高速开关应用，重视功率效率。典型应用包括DC-DC转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。雪崩能量的规定消除了在开关感应负载时设计中的猜测，并为意外电压瞬变提供了额外的安全裕量。

FDML7610S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道功率MOSFET，额定工作电压为30V，额定电流为30A。最大导通电阻为7.5mΩ。

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FDME910PZT P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低封装高度的MOSFET，适用于电池充电或负载开关等应用。

该文档介绍了FDME905PT P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括最大导通电阻、低电阻MOSFET、微型封装以及符合RoHS标准等。