工业器械 - 第1906页

该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。

该文件介绍了FDME510PZT P-Channel PowerTrench®MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、低外形高度、无卤化合物和锑氧化物、静电保护等。

MiniMOS设备是高性能的功率MOSFET器件，可在低压、高频应用中实现高效电能转换。

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Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data介绍了MiniMOS系列的功率MOSFETs产品特点，包括超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该产品适用于低压、高速开关应用，能够承受高能量的雪崩和换向模式，并具有非常低的漏-源二极管反向恢复时间。

该文件介绍了FDME1034CZT互补PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括N通道和P通道的最大导通电阻、低轮廓设计、无卤化合物和锑氧化物、静电放电保护等。

MiniMOS系列采用摩托罗拉的高密度HDTMOS工艺制造，具有超低RDS(on)和真正的逻辑级性能

MiniMOS系列是高性能，低电阻，高可靠性的功率MOSFET产品。

FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。

FDME1023PZT双P通道功率沟槽MOSFET是一款 -20 V，-2.6 A，142 mΩ 的电源开关，具有低开关导通电阻和低功耗特性。

FDMC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款30V，15A，19mΩ的功率管。它采用Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process制造，具有极低的rDS(on)。该管子适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。

FDMC8882 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的功率管理和负载开关应用

FDMC8878 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的N通道功率晶体管，具有30V、16.5A、14mΩ的特点。

FDMC8854是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有低RDS(on)、低封装高度和RoHS兼容性。

MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain–to–source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.