INFINEON IPW50R140CP 数据手册 该文件介绍了IPW50R140CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的R DS,on值、最低的R ON x Qg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、较高的峰值电流能力等。
INFINEON IPW60R299CP 数据手册 该文件介绍了IPW60R299CP CoolMOSTM功率晶体管的特点，包括最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt评级和高峰值电流能力。该产品符合JEDEC标准，并适用于硬开关SMPS拓扑结构。
INFINEON C505 C505C C505A C505CA 说明书 该文件介绍了一种名为C505的8位单片微控制器，包括C505C、C505A和C505CA等型号。该微控制器由Infineon Technologies AG制造，具有高性能和可靠性。该文件还提供了关于技术、交货条件和价格的进一步信息。
INFINEON XC164CS-16F 说明书 该文件是一份数据表，介绍了2006年3月发布的Infineon Technologies AG生产的XC164CS-16F 16位单片微控制器的特点和特性。
INFINEON SPW52N50C3 数据手册 SPW52N50C3是一款高压MOS功率管，具有世界上最好的RDS(on)、超低门极电荷、周期性雪崩评级、极端dv/dt评级、超低有效电容和改进的导通率
INFINEON BSP297 数据手册 该文件是关于BSP297 Rev. 1.21 SIPMOS小信号晶体管的产品摘要。该晶体管为N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有最大200V的漏源电压和1.8Ω的漏源电阻。其特点包括增强型逻辑电平，dv/dt评级和PG-SOT-223封装。
INFINEON SN7002N 数据手册 该文档介绍了2005年7月21日发布的Rev. 2.2版的SN7002N SIPMOS小信号晶体管的产品摘要信息。该晶体管是一种N沟道增强型逻辑电平的小信号晶体管，具有60V的漏源电压，5Ω的漏源电阻和0.2A的漏极电流。
INFINEON IPI60R165CP 说明书 IPI60R165CP CoolMOS 功率晶体管具有最低的 RONxQg 比率、极低的栅极电荷、极端 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。它符合 JEDEC1) 标准，适用于服务器和电信的硬开关拓扑。
INFINEON BUZ 345 数据手册 BUZ 345是N沟道增强型雪崩额定功率晶体管。它具有100 V的漏源击穿电压，41 A的连续漏源电流和0.045 Ω的漏源开启电阻。它适用于各种应用，如电机驱动、电力转换和照明控制。
INFINEON SPI80N08S2-07 SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07 数据手册 本文档介绍了2003年5月9日发布的SPI80N08S2-07、SPP80N08S2-07和SPB80N08S2-07型号OptiMOS功率晶体管的特点和特性，包括N通道增强型、175°C工作温度、雪崩额定、dv/dt额定等。
INFINEON PROFET BTS426L1 数据手册 PROFET® BTS426L1 是德州仪器公司推出的一款高侧功率开关，它具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载浪涌）等特点。它可以应用于 12 V 和 24 V DC 接地负载，替代电气机械继电器、保险丝和离散电路。
