INFINEON SPA06N60C3 数据手册 SPA06N60C3 CoolMOSTM 功率晶体管具有以下特点：新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、高峰值电流能力、超低有效电容、极端dv /dt额定、改进的传导率、完全绝缘封装（2500V AC；1分钟）
INFINEON IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G 数据手册 IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G OptiMOS®2 功率晶体管具有以下特点：N 通道，正常电平；优异的门电荷 x R DS（on）乘积（FOM）；非常低的导通电阻 R DS（on）；175 °C 工作温度；无铅铅镀层；符合 RoHS 标准；根据 JEDEC1）目标应用认证；适用于高频开关和同步整流。
INFINEON BFP405 数据手册 该文件介绍了BFP405型号的NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于低电流应用和高达12 GHz的振荡器，1.8 GHz时的噪声系数为1.25 dB，增益为23 dB，过渡频率为25 GHz，金属化设计提供高可靠性。
INFINEON BSO119N03S 数据手册 BSO119N03S是一款N通道逻辑级MOSFET，具有快速开关、优异的门极电荷x R DS(on)产品(FOM)、非常低的导通电阻R DS(on)、卓越的热阻、雪崩额定、铅无电镀和RoHS兼容等特点。
INFINEON IPB60R600CP 数据手册 IPB60R600CP是IPB60系列的一个型号，是ON Semiconductor公司生产的功率晶体管，其特点是最低的RON x Qg，超低的门极电荷，极端dv/dt额定值，高峰值电流能力，通过JEDEC1)认证，铅封，符合RoHS标准。
INFINEON TDA 5220 ASK/FSK Single Conversion Receiver Version 1 说明书 TDA 5220是一款ASK/FSK单转换接收器，具有无线控制功能。
INFINEON SPI16N50C3, SPA16N50C3 说明书 该文档介绍了SPP16N50C3、SPI16N50C3和SPA16N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性击穿额定、极端dv/dt额定、超低有效电容、改进的传导电导和不同封装类型等。
INFINEON SPP08N50C3/SPI08N50C3/SPA08N50C3 说明书 SPP08N50C3, SPI08N50C3 SPA08N50C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 560 V 的 VDS@Tjmax、0.6 欧姆的 RDS(on) 和 7.6 A 的 ID。其特点包括：新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv/dt 额定值、超低有效电容和改进的传导率。
