INFINEON PROFET BTS 6133D Smart Highside Power Switch 说明书 该文件是关于PROFET® BTS 6133D 的数据表，产品具有反向电池保护、反向操作、短路保护、电流限制、过载保护、热关断、过压保护、失去接地保护、失去Vbb保护、低待机电流、快速退磁等功能。
INFINEON SPD07N60C3/SPU07N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 本文件详细介绍了804-10 Rev. 2.5 P-channel功率MOSFET的产品特性,包括最大电压、电流、功率和热阻等
INFINEON BAR65... Silicon PIN Diode 说明书 BAR65是一种硅PIN二极管，主要用于移动通信中的低损耗收发开关和电视调谐器的频段切换。它具有非常低的正向电阻和低电容，适用于快速切换应用。
INFINEON IKW08T120 说明书 IKW08T120 是 Infineon 公司生产的一种 IGBT 器件，该器件采用了 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术，具有软恢复和快速恢复的特性，适用于频率转换器和不间断电源等应用场合。
INFINEON IPA50R199CP CoolMOS ower Transistor 说明书 IPA50R199CP是CoolMOSTM功率晶体管，特点是RON x Qg最小，栅极电荷极低，dv/dt额定值极高，峰值电流能力高，符合RoHS标准。应用领域包括硬开关和软开关SMPS拓扑、CCM PFC、ATX、笔记本适配器、PDP和LCD电视。
INFINEON BA592/BA892... Silicon RF Switching Diode 说明书 BA592/BA892是富士通推出的一款硅射频开关二极管，用于电视/VTR调谐器和移动应用程序中的频段切换。它具有非常低的前向电阻（典型值为0.45欧姆@3mA）和小的寄生电容。
INFINEON SPP06N80C3/SPA06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该数据表格是关于SPP06N80C3和SPA06N80C3这两款高压MOS管的产品信息，包括型号、封装形式、最大电流、门极电压、功耗等信息
INFINEON BFS17P NPN Silicon RF Transistor 说明书 该文件介绍了2005年11月17日发布的一款NPN硅射频晶体管BFS17P，可用于1 GHz以下的宽带放大器，集电流范围为1 mA至20 mA，静电敏感设备，需要注意操作预防。
INFINEON SPW24N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW24N60C3 是一款新型高压功率晶体管，具有极低的门极电荷、周期性雪崩等特性，最大电压为 650 伏，最大电流为 24.3 A。
INFINEON BAV70... Silicon Switching Diode 说明书 BAV70是ON Semiconductor公司生产的一款硅开关二极管，其最大反向电压为80V，最大反向电流为85V，最大正向电流为200mA，最大非重复峰值冲击正向电流为4.5A，总功耗为250mW，结温为150°C，存储温度为-65~150°C。
INFINEON SPW11N60S5 Cool MOS ower Transistor 说明书 SPW11N60S5是Cool MOS™大功率三极管，其特点是新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。
