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该文件是关于BSP297 Rev. 1.21 SIPMOS小信号晶体管的产品摘要。该晶体管为N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有最大200V的漏源电压和1.8Ω的漏源电阻。其特点包括增强型逻辑电平，dv/dt评级和PG-SOT-223封装。