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IPB60R199CP CoolMOS TM功率晶体管特点：最低的R ONxQ g值；超低的栅极电荷；极高的dv/dt额定值；高峰值电流能力；符合JEDEC1)的目标应用要求；无铅引线镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为硬开关拓扑设计，适用于服务器和电信应用。