FAIRCHILD FDD8778/FDU8778 说明书 FDD8778/FDU8778 N-Channel PowerTrench® MOSFET是25V, 35A, 14mΩ特性的N通道MOSFET，具有低栅极电荷、低rDS(on)和快速开关速度，适用于DC-DC转换器、VRM等应用
FAIRCHILD FDD8780/FDU8780 说明书 FDD8780/FDU8780 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低栅极电容、低导通电阻和快速开关速度等特点，应用于桌面计算机和服务器的Vcore DC-DC以及中间总线架构VRM中。
FAIRCHILD FDD8782/FDU8782 说明书 FDD8782/FDU8782 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，该MOSFET具有低门极电荷、低rDS(on)和快速开关速度，可应用于Vcore DC-DC、VRM等。
FAIRCHILD FDD8796/FDU8796 说明书 FDD8796/FDU8796 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N沟道MOSFET，其特点是低门极电荷、低导通电阻和快速开关速度，应用于Vcore DC-DC和VRM等领域。
FAIRCHILD FDD8874 / FDU8874 说明书 该文档介绍了FDD8874 / FDU8874 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，主要用于提高DC/DC转换器的效率。
FAIRCHILD FDD8876 / FDU8876 说明书 FDD8876是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET，其额定电压为30V，最大电流为73A，典型导通电阻为8.2mΩ，适用于DC/DC转换器。
FAIRCHILD FDD8880 说明书 FDD8880 是 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，额定电压为 30V，额定电流为 58A，RDS(ON) 为 9mΩ，适用于 DC/DC 转换器，具有低栅极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关速度等特点。
FAIRCHILD FDD8882/FDU8882 说明书 FDD8882 / FDU8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低阻断电压、高电流耐受能力的N通道MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。
FAIRCHILD FDG311N 说明书 该文档介绍了FDG311N N-Channel MOSFET的特点和特性，使用了Fairchild Semiconductor的PowerTrench工艺，具有低开态电阻和低栅电荷，适用于便携式电子设备应用。
FAIRCHILD FDG312P 说明书 FDG312P是Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，采用了先进的PowerTrench工艺，可以实现低导通电阻和低栅极电荷，适用于便携式电子应用。
FAIRCHILD FDG315N 说明书 FDG315N是Fairchild Semiconductor公司生产的N沟道逻辑级MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为2A。这款器件具有极低的导通电阻，适合低电压和电池供电的应用场合。
FAIRCHILD FDG316P 说明书 文档介绍了FDG316P型号的P-Channel Logic Level MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild Semiconductor公司的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于低压和电池供电应用。
