Fairchild 说明书

FAIRCHILD FDN361BN 说明书

FDN361BN 是一种 30V N 通道逻辑级 PowerTrench MOSFET，其开关速度快，线损低。适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用。

FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 说明书

The FDN372S is a 30V N-channel power trench SyncFET™ MOSFET designed to maximize power conversion efficiency with low Rds(on) and low gate charge. It is ideal as a low side switch in a synchronous converter.

FAIRCHILD FDMS3668S 说明书

FDMS3668S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道MOSFET，其特点是低压降和低导通电阻，适用于计算机、通信、通用用途点负载和笔记本电脑等应用。

FAIRCHILD FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 说明书

FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET，最大RDS(on)为23mΩ，最大ID为22A，典型Qg为31nC。该产品适用于高频DC-DC转换器应用。

FAIRCHILD FDMS3686S 说明书

FDMS3686S PowerTrench® Power Stage是一款双向N通道MOSFET，具有低RDS(on)、低封装电感和优化的布局，可提供更高的功率效率。

FAIRCHILD FDMS4435BZ 说明书

FDMS4435BZ是Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制造，具有极低的导通电阻。适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

FAIRCHILD FDMS5352 说明书

该文档是FDMS5352 N-Channel Power Trench® MOSFET的datasheet，介绍了其特点特性，包括最大电压、最大电流、最大导通电阻、最小导通电阻、应用场景等。

FAIRCHILD FDMS5672 说明书

该文件介绍了FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大rDS(on)、最大Qg、低Miller电荷和在高频率下的优化效率。

FAIRCHILD FDMS6673BZ 说明书

The FDMS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET is a high-performance device designed for use in load switch applications. It features an advanced package and silicon combination for low rDS(on), and an HBM ESD protection level of 8 kV typical.

FAIRCHILD FDMS6681Z 说明书

该文件介绍了2009年5月发布的FDMS6681Z P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大电阻、高ESD保护等。

FAIRCHILD FDMS7556S 说明书

FDMS7556S N-Channel Power Trench® SyncFETTM是一款低rDS(on)和高效率的MOSFET。它具有1.2 mΩ的最大rDS(on)和高效的单片Schottky体二极管。它适用于同步降压转换器、笔记本电脑、服务器、电信和高效DC-DC开关模式电源。

FAIRCHILD FDMS7558S 说明书

FDMS7558S N-Channel PowerTrench®SyncFET是一款具有低rDS(on)和高效率的开关器件，适用于同步降压转换器、笔记本电脑、服务器、电信和高效率DC-DC开关电源等应用

FAIRCHILD FDMS7560S 说明书

该文件介绍了FDMS7560S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM的特点，包括最大导通电阻、先进的封装和硅材料组合、同步斯科特基二极管等。

FAIRCHILD FDMS7570S 说明书

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FAIRCHILD FDMS7572S 说明书

FDMS7572S N-Channel PowerTrench®SyncFET是一款高效率、低功耗的N沟道MOSFET，最大导通电阻为2.9mΩ，额定电压为25V，额定电流为49A。该器件采用先进的硅和封装技术，具有优异的开关性能和低导通电阻。