FAIRCHILD FDN308P 说明书 FDN308P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是：工作电压为2.5V，最大电流为1.5A，开关速度快，采用先进的PowerTrench工艺，适用于电源管理、负载开关、电池保护等应用场景。
FAIRCHILD FDN327N 说明书 FDN327N是Fairchild生产的一款N沟道MOSFET，其工作电压为20V，额定电流为2A，开启电压为1.8V。该器件采用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，具有低门极电荷和快速开关速度的特点。
FAIRCHILD FDN336P 说明书 FDN306P/336P是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道2.5V规格PowerTrench®MOSFET。该器件适用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDN337N 说明书 该文档介绍了1998年3月发布的FDN337N N-Channel逻辑电平增强模式场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该产品具有高密度单元设计，极低的导通电阻和最大直流电流能力，适用于低压应用中需要快速开关和低线电功率损耗的场合。
FAIRCHILD FDN338P 说明书 FDN338P是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，采用先进的低压PowerTrench工艺，具有低RDS(ON)、高开关速度的特点。适用于电池管理、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDN339AN 说明书 FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的，采用了PowerTrench工艺，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDN340P 说明书(1) 该数据表是关于FDN340P的，它是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道逻辑级MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)（70mΩ@VGS=-4.5V）和低门控电荷（7.2nC典型值），适用于负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换等便携式电子应用。
FAIRCHILD FDN358P 说明书 FDN358P是一款P型逻辑级MOSFET，使用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench工艺制成，该工艺专门针对最小化开启状态电阻而设计，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDN359BN 说明书 FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道逻辑级MOSFET，该MOSFET使用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，通过该工艺可以将导通电阻最小化，同时保持优异的开关性能。该器件适用于低电压和电池供电的应用场合，在这些应用场合中，需要低的线路功耗和快速切换。
FAIRCHILD FDN360P 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDN360P单P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Power Trench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。适用于低压和电池供电应用，要求低线路功耗和快速开关。
