FAIRCHILD FDMS039N08B 说明书 FDMS039N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低FOM、低反向恢复电荷的N沟道MOSFET，适用于同步整流、电池充电器、电机驱动等应用
FAIRCHILD FDMS0312S 说明书 FDMS0312S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V、42 A、4.9 mΩ 的 N 沟道功率晶体管。该产品采用先进的封装和硅技术组合，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。该产品还具有高效的单片 Schottky 体二极管，MSL1 坚固的封装设计，100% UIL 测试，符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FDMS015N04B 说明书 该文件介绍了FDMS015N04B N-Channel PowerTrench® MOSFET的最大额定值、热特性和特点。该产品具有低RDS(on)和高效率的特点，并且采用了先进的封装和硅材料组合。适用于服务器/电信电源单元、电池充电器和电池保护电路、直流电机驱动和不间断电源等应用。
FAIRCHILD FDMQ8403 说明书 FDMQ8403是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N通道功率MOSFET，额定电压为100V，额定电流为6A，最大导通电阻为110mΩ。
FAIRCHILD FDMQ8203 说明书 FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。
FAIRCHILD FDML7610S 说明书 FDML7610S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道功率MOSFET，额定工作电压为30V，额定电流为30A。最大导通电阻为7.5mΩ。
FAIRCHILD FDME910PZT 说明书 FDME910PZT P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低封装高度的MOSFET，适用于电池充电或负载开关等应用。
FAIRCHILD FDME905PT 说明书 该文档介绍了FDME905PT P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括最大导通电阻、低电阻MOSFET、微型封装以及符合RoHS标准等。
FAIRCHILD FDME820NZT 说明书 该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。
FAIRCHILD FDME510PZT 说明书 该文件介绍了FDME510PZT P-Channel PowerTrench®MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、低外形高度、无卤化合物和锑氧化物、静电保护等。
FAIRCHILD FDME1034CZT 说明书 该文件介绍了FDME1034CZT互补PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括N通道和P通道的最大导通电阻、低轮廓设计、无卤化合物和锑氧化物、静电放电保护等。
FAIRCHILD FDME1024NZT 说明书 FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。
FAIRCHILD FDMC8884 说明书 FDMC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款30V，15A，19mΩ的功率管。它采用Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process制造，具有极低的rDS(on)。该管子适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。
