FAIRCHILD FDMS8320L 说明书 该FDMS8320L N-Channel PowerTrench® MOSFET具有低rDS(on)和高效率，适用于OringFET / Load Switching、Synchronous Rectification和DC-DC Conversion Power等场景
FAIRCHILD FDMS8460 说明书 FDMS8460 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是最大导通电阻(RDS(on))仅为2.2mΩ。适用于DC-DC转换应用场景。
FAIRCHILD FDMS8558S 说明书 FDMS8558S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻和同步肖特基体二极管。
FAIRCHILD FDMS8558SDC 说明书 FDMS8558SDC N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款低阻抗的N沟道同步整流器，采用先进的PowerTrench®工艺，在极低的结温下实现了最高的转换效率。
FAIRCHILD FDMS8570S 说明书 FDMS8570S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是一款高性能的功率器件，采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造。该器件具有极低的 Rds（on），非常适合 DC/DC 转换器、电信二级侧整流器和高端服务器/工作站等应用。
FAIRCHILD FDMS3626S 说明书 FDMS3626S PowerTrench® Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款双PQFN封装的N沟道MOSFET，具有低内阻和高转换效率的特点。该器件适用于计算、通信、通用点负载和笔记本电脑等应用。
FAIRCHILD FDMS3662 说明书 FDMS3662 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 通道 Power Trench® MOSFET，额定电压为 100V，额定电流为 49A，额定导通电阻为 14.8mΩ。该 MOSFET 具有低导通电阻、MSL1 坚固型封装、100% UIL 测试、RoHS 兼容等特点。
FAIRCHILD FDMS3624S 说明书 FDMS3624S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗和低功耗特性。
FAIRCHILD FDMS3622S 说明书 FDMS3622S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET。该产品具有低导通电阻、低电感封装、优化的布局和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDMS3620S 说明书 FDMS3620S PowerTrench® PowerStage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款低电感封装，提高开关速度，降低开关损耗的MOSFET，适用于计算、通信、电源和笔记本电脑等应用场景。
FAIRCHILD FDMS3615S 说明书 FDMS3615S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗开关特性，适用于笔记本电脑、服务器等应用场合。
FAIRCHILD FDMS3606AS 说明书 FDMS3606AS是一款30V不对称双N沟道MOSFET，具有低电感封装、较低的开关损耗和较低的电路电感，可用于计算机、通信、通用用途点的负载、笔记本VCORE和服务器MOSFET等应用。
