FAIRCHILD FDMS86102LZ 说明书 该文档介绍了FDMS86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、ESD保护等级和适用于直流-直流转换、逆变器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDMS86103L 说明书 FDMS86103L N-Channel Power Trench® MOSFET是一款100 V，49 A，8 mΩ的N沟道MOSFET，具有以下特点：最大RDS(on)=8 mΩ，VGS=10 V，ID=12 A；最大RDS(on)=11 mΩ，VGS=4.5 V，ID=10 A；先进的封装和硅芯片组合，可实现低RDS(on)和高效率；MSL1坚固的封装设计；100% UIL测试；符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMS86104 说明书 该文档介绍了FDMS86104 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、先进的封装和硅组合、MSL1稳健的封装设计、100% UIL测试以及符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMS86105 说明书 FDMS86105是一款N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应管。该产品具有最大34 mΩ的rDS(on)（在VGS = 10 V，ID = 6 A时），以及最大54 mΩ的rDS(on)（在VGS = 6 V，ID = 4.5 A时）。它采用先进的封装和硅材料组合，以实现低rDS(on)和高效率。该产品通过100% UIL测试，并符合RoHS指令。
FAIRCHILD FDMS86200 说明书 FDMS86200 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor公司生产的一种高性能功率MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS86201 说明书 FDMS86201 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低阻抗的 MOSFET，适用于 DC-DC 转换电源等应用。
FAIRCHILD FDMS86250 说明书 该文件介绍了FDMS86250 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有最大的rDS(on)值为25 mΩ和33 mΩ，适用于DC-DC转换电源。它采用先进的封装和硅材料组合，具有低rDS(on)和高效率。
FAIRCHILD FDMS86252 说明书 FDMS86252 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一种高性能的开关器件，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
FAIRCHILD FDMS86300 说明书 该文件介绍了FDMS86300 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该MOSFET具有低rDS(on)和高效率的先进封装和硅结合技术。它还采用了下一代增强型体二极管技术，用于软恢复。该MOSFET经过100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMS86300DC 说明书 FDMS86300DC N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻(3.1 mΩ)，可应用于DC/DC转换器、电信二次侧整流器等场景。
FAIRCHILD FDMS86310 说明书 FDMS86310 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款具有低rDS(on)和高效率的MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。
FAIRCHILD FDMS86320 说明书 FDMS86320 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款低电阻、高效率、快速开关的功率MOSFET，应用于各种DC/DC转换器
FAIRCHILD FDMS86322 说明书 FDMS86322是一种N通道PowerTrench® MOSFET，具有80V的耐压和60A的额定电流。其特点是最大的导通电阻为7.65 mΩ，采用先进的封装和硅材料组合，以实现低导通电阻和高效率。
