Fairchild 说明书

FAIRCHILD FDP6670AS/FDB6670AS 数据手册

FDP6670AS/FDB6670AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™是一种用于同步DC:DC电源的MOSFET。它通过提供低RDS(ON)和低栅极电荷，最大限度地提高电源转换效率。

FAIRCHILD FDP6670AL/FDB6670AL 数据手册

FDP6670AL/FDB6670AL是一款逻辑级MOSFET，具有快速开关和低栅极电荷的特点，非常适合设计高效率的DC/DC电源。

FAIRCHILD FDP6644S/FDB6644S 数据手册

该文件介绍了一种30V N沟道功率MOSFET，该MOSFET设计用于在同步DC:DC电源中替代单个MOSFET和并联的肖特基二极管。它具有低RDS(ON)和低栅极电荷，可最大限度地提高功率转换效率。此外，该MOSFET还包括一个使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

FAIRCHILD FDP6644/FDB6644 数据手册

本文件是关于FDP6644/FDB6644 30V N-Channel PowerTrench MOSFET的技术手册。该器件具有50A、30V、RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V、RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5 V、低栅极电荷（27 nC 典型值）、快速开关速度、高性能沟槽技术，用于极低 RDS(ON) 的DC/DC电源设计。

FAIRCHILD FDP61N20 数据手册

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FAIRCHILD FDP603AL / FDB603AL 数据手册

FDP603AL/FDB603AL是Fairchild生产的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，具有极低的RDS(ON)，最大结温为175°C。

FAIRCHILD FDP6035L/FDB6035L 数据手册

FDP6035L/FDB6035L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低压应用的N沟道逻辑级增强型功率场效应晶体管，其特点是低导通电阻，快开关速度，低线损和抗瞬变性

FAIRCHILD FDP6035AL/FDB6035AL 数据手册

FDP6035AL/FDB6035AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道逻辑级MOSFET，它具有48 A，30 V RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V，Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature，High performance trench technology for extremely low RDS(ON)，175°C maximum junction temperature rating等特点。

FAIRCHILD FDP6030L / FDB6030L 数据手册

FDB6030L是Fairchild生产的N通道逻辑级增强型功率场效应晶体管，具有低栅极电荷（典型值为34 nC）、低Crss（典型值为175 pF）和快速开关速度。该器件适用于需要快速开关、低在线功耗和抗瞬态干扰的低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路。

FAIRCHILD FDP6030BL/FDB6030BL 数据手册

FDP6030BL/FDB6030BL是一种N沟道逻辑电平功率场效应晶体管，具有40A、30V的特点。它采用高性能沟道技术，具有极低的导通电阻。具有175°C的最大结温额定值。

FAIRCHILD FDP6021P/FDB6021P 数据手册

该文件介绍了FDP6021P/FDB6021P型号的P-Channel功率MOSFET的特点和特性，适用于电池管理、负载开关和电压调节等应用。

FAIRCHILD FDP5690/FDB5690 数据手册

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FAIRCHILD FDP5645/FDB5645 数据手册

FDP5645/FDB5645是一款60V N通道功率MOSFET，具有更快的开关速度和更低的门极电荷，可用于DC/DC转换器，其特点是RDS(ON)=0.0095 Ω @ VGS = 10 V和RDS(ON)=0.011 Ω @ VGS = 6 V。

FAIRCHILD FDP4030L / FDB4030L 数据手册

FDP4030L/FDB4030L是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，其采用Fairchild专有的高电池密度DMOS技术，具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件适用于低压应用，如DC/DC转换器、电机驱动器和电池充电器。

FAIRCHILD FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 数据手册

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