Fairchild 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力等。该产品适用于汽车行业的电机/车身负载控制、ABS系统、动力管理、喷射系统以及DC-DC转换器和离线UPS等应用。

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2002年推出的FDP16AN08A0 / FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性。该产品具有低电阻、低Miller电荷、低Qrr体二极管、UIS能力等特点，适用于42V汽车负载控制、启动/发电机系统、电子动力转向系统、电子凸轮轴系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关等应用。

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation（美国公司）生产的FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性。该MOSFET具有60V的电压、60A的电流以及14.6mΩ的导通电阻。它还具有低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）等特点。该产品适用于电机/负载控制、ABS系统、动力系统管理、喷油系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源架构和VRM、12V和24V系统的主开关等应用。

FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(ON) = 11.5mΩ (Typ.)，Qg(tot) = 22nC (Typ.)，Low Miller Charge，Low QRR Body Diode，UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)，Qualified to AEC Q101。

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ，是一款低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)的 MOSFET。

FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 75A, 10.5mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款MOSFET，具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)等特点。

FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是低RDS(ON)、低Qg(tot)、低Miller Charge、低QRR Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)，符合AEC Q101标准，适用于汽车行业的Motor / Body Load Control、ABS Systems、Powertrain Management、Injection Systems、DC-DC converters and Off-line UPS、Distributed Power Architectures and VRMs、Primary Switch for 12V and 24V systems等应用场景。

该文件介绍了FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR body二极管、UIS能力等。该产品适用于42V汽车负载控制、起动机/发电机系统、电子动力转向系统、电子气门传动系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源结构和VRM以及24V和48V系统的主开关等应用。

FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 是 Fairchild Semiconductor Corporation 公司生产的一款 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 5mΩ 产品，具有 rDS(ON) = 4.3mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 等特点，适用于 Motor / Body Load Control 等应用场景。

FDP047AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款MOSFET，其特点是低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability（Single Pulse and Repetitive Pulse），应用于42V Automotive Load Control、Starter / Alternator Systems、Electronic Power Steering Systems、Electronic Valve Train Systems、DC-DC converters and Off-line UPS、Distributed Power Architectures and VRMs、Primary Switch for 24V and 48V systems。

该文档介绍了 FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0 型号的 N-Channel PowerTrench® MOSFET 产品的特点和特性，包括最大电压和电流等。

FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ 是一款低功耗功率晶体管，具有 3.5mΩ（典型值）的低导通电阻，95nC（典型值）的栅极电荷，低 Miller 充电和低 QRR 体二极管。该器件符合 AEC Q101 标准，适用于汽车、工业、消费电子等领域。

USB1T20是一种通用的USB 2.0兼容收发器，适用于任何能够提供3.0V至3.6V电压的电子设备。它设计用于允许5.0V或3.3V可编程和标准逻辑与通用串行总线的物理层进行接口。它能够以全速（12Mbit/s）和低速（1.5Mbit/s）数据速率传输和接收串行数据。USB1T20采用行业标准TSSOP和Fairchild超小型2.5mm x 2.5mm MLP封装，非常适用于超便携电子设备和其他空间受限的应用。

USB1T11A是Fairchild Semiconductor的一款USB收发器，支持12Mbit/s和1.5Mbit/s的数据传输，支持单端数据接口，供电电压为3.3V。

USB1T1105A是符合USB Specification Rev 2.0的USB外设收发器，内置5V到3.3V的调压器，可直接从USB主机(VBUS)供电，支持全速12Mbit/s的数据速率，适用于便携式电子设备。