FAIRCHILD FDP46N30 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDP46N30 300V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括46A的电流输出、低的门电荷、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDP51N25 数据手册 FDP51N25 250V N-Channel MOSFET，是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的51A、250V、RDS（on）= 0.060 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为55 nC）、低Crss（典型值为63 pF）、快速开关、100％雪崩测试、改进的dv/dt能力的N-Channel增强型功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FDP55N06/FDPF55N06 数据手册 FDP55N06/FDPF55N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低门极电荷、低Crss、快速开关的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FDP4020P/FDB4020P 数据手册 FDP4020P/FDB4020P 是飞利浦半导体公司推出的一款 P 通道低阈值 MOSFET，该器件具有 -16A、-20V 的额定电流和电压，RDS(on) 可低至 0.08 欧姆。该器件可以用作低压输出线性开关，也可以用作 DC-DC 转换器的 P 通道开关。
FAIRCHILD FDP39N20 数据手册 FDP39N20是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速切换、100%雪崩测试等特点，适用于高效开关电源和有源功率因数校正等应用。
FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 数据手册 FDB3682 / FDP3682 是一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，具有 100V、32A、36mΩ 的特点。
FAIRCHILD FDB3652 / FDP3652 / FDI3652 数据手册 该文档是关于Fairchild Semiconductor Corporation 于2002年发布的FDB3652/FDP3652/FDI3652 N-Channel PowerTrench® MOSFET的产品信息手册
FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 数据手册 该文件介绍了FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 N沟道PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括低电阻、低Miller电荷、低QRR Body二极管等。它适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统。
FAIRCHILD FDP2670/FDB2670 数据手册 该文档介绍了FDP2670/FDB2670型号的200V N-Channel PowerTrench MOSFET。该产品适用于隔离的DC/DC转换器应用中的主边开关。具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要200V MOSFET的任何应用。采用高性能沟道技术，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。支持高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDP2570/FDB2570 数据手册 这是一份关于Fairchild Semiconductor Corporation FDP2570/FDB2570型号的150V N-Channel PowerTrench MOSFET的说明书。该MOSFET设计用于隔离式DC/DC变换器应用中的主边开关。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要150V MOSFET且要求低开关电阻和快速开关的应用。该MOSFET具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，使其易于驱动（即使在很高的频率下），并且能够提高整体效率的DC/DC电源设计。
FAIRCHILD FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 数据手册 FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N-Channel PowerTrench® MOSFET ，具有 150V、79A、16mΩ 的特性，适用于 DC/DC 转换器和 Off-Line UPS、分布式功率架构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直喷 / 柴油喷射系统、42V 汽车负载控制和电子气门传动系统等应用场景。
