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该文件介绍了一种30V N沟道功率MOSFET，该MOSFET设计用于在同步DC:DC电源中替代单个MOSFET和并联的肖特基二极管。它具有低RDS(ON)和低栅极电荷，可最大限度地提高功率转换效率。此外，该MOSFET还包括一个使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。