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本文件是关于FDP6644/FDB6644 30V N-Channel PowerTrench MOSFET的技术手册。该器件具有50A、30V、RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V、RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5 V、低栅极电荷（27 nC 典型值）、快速开关速度、高性能沟槽技术，用于极低 RDS(ON) 的DC/DC电源设计。