FAIRCHILD FDS8882 说明书 FDS8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能器件，具有极低的rDS(on)和快速的开关特性。它专为功率转换应用而设计，可最大限度地降低损耗。
FAIRCHILD FDS8884 说明书 该文档介绍了FDS8884 N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，它是专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计的。它经过优化，具有低栅极电荷、低rDS(on)和快速开关速度的特点。
FAIRCHILD FDS8896 说明书 FDS8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 15A, 6.0mΩ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款低阻抗 MOSFET，适用于 DC/DC 转换器。
FAIRCHILD FDS83141 说明书 FDS89141是美国Fairchild Semiconductor公司生产的一款双N通道功率晶体管，其最大导通电阻为62mΩ，最大电流为3.5A。该器件采用先进的Power Trench®工艺，具有极低的导通电阻、高功率和电流处理能力，广泛应用于同步整流器和桥式拓扑结构等应用场合。
FAIRCHILD FDS89161 说明书 FDS89161是Fairchild Semiconductor生产的一种双N通道PowerTrench®MOSFET，具有极低的RDS(on)、高功率和电流处理能力，适用于同步整流器和桥式拓扑中的主开关。
FAIRCHILD FDS89161LZ 说明书 FDS89161LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench®MOSFET，具有极低的导通电阻（rDS(on)），可用于DC-DC转换电路。
FAIRCHILD FDS8928A 说明书 这份文件介绍了1998年7月生产的FDS8928A双N和P通道增强型场效应晶体管的特点和特性。该产品采用了高密度DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关性能和抗干扰等特点，适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
FAIRCHILD FDS8935 说明书 该文件介绍了FDS8935双P通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的沟道技术、高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流器应用。
FAIRCHILD FDS8949 说明书 FDS8949是Fairchild Semiconductor生产的双N通道逻辑级PowerTrench® MOSFET，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。该器件适用于低压和电池供电应用，在这些应用中需要低的线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS8958B 说明书 该文档介绍了2008年12月发布的FDS8958B型号的双N&P沟道PowerTrench® MOSFET产品。该产品具有低电压和电池供电应用的特点，具有低电阻和快速切换的性能。
FAIRCHILD FDS8960C 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的双N和P沟道增强型功率场效应晶体管，采用了先进的PowerTrench工艺，旨在最小化静态电阻并保持卓越的开关性能。这些器件非常适用于低压和电池供电应用，需要低线损耗和快速开关速度。
FAIRCHILD FDS8978 说明书 FDS8978是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为7.5A，最小导通电阻为18mΩ。该器件采用高性能沟槽技术，具有极低的导通电阻、低栅极电荷、高功率和电流处理能力等特点，适用于DC/DC转换器等应用。
FAIRCHILD FDS6675BZ 说明书 该文档介绍了2009年3月发布的FDS6675BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，该产品适用于笔记本电脑和便携式电池组等电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS6676AS 说明书 FDS6676AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET是一种高性能的30V N沟道MOSFET，具有极低的RDS(ON)和快速开关特性。它包括一个集成的Schottky二极管，使用Fairchild的monolithic SyncFET技术。
