FAIRCHILD FQA46N15 / FQA46N15_F109 数据手册 FQA46N15是Fairchild推出的一款150V N通道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.042Ω@VGS=10V、低栅极电荷(典型值为85 nC)、低Crss(典型值为100pF)、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值
FAIRCHILD 2N7052/2N7053/NZT7053 数据手册 2N7052 / 2N7053 / NZT7053是一种NPN达林顿晶体管，适用于需要极高增益和高击穿电压的应用。它可以承受1.0A的集电极电流。
FAIRCHILD 2N7051 数据手册 该文件介绍了2N7051 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它包括了集电极-发射极电压、集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极电流、存储温度等参数。
FAIRCHILD FQA36P15 150V P-Channel MOSFET 说明书 FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高效、快速开关的P通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，在提高开关速度、降低导通电阻和承受高能脉冲的同时，还能提高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET 说明书 FQA32N20C 200V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型N沟道功率场效晶体管，采用Fairchild专有的平面DMOS技术，具有低导通电阻、出色的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。
FAIRCHILD FQA28N15 说明书 该文件介绍了FQA28N15型号的N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用Fairchild的专有DMOS技术，具有较低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效DC/DC转换器的开关和直流电机控制，以及不间断电源。
FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA24N60 600V N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低通态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。该产品非常适用于高效率的开关电源。
FAIRCHILD FQA19N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQA19N60是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，它采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有超低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率的开关电源。
FAIRCHILD FQA170N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 该文件是关于FQA170N06的datasheet，该产品是一款N-Channel enhancement mode power field effect transistors，具有低gate charge, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, improved dv/dt capability, 175°C maximum junction temperature rating等特点。
FAIRCHILD 2N7002MTF 说明书 该文件介绍了2N7002MTF产品的特点特性，包括较低的RDS(on)，提高的感应耐用性，快速的开关时间，较低的输入电容，扩展的安全工作区域以及改进的高温可靠性。
FAIRCHILD FQA160N08 80V N-Channel MOSFET 说明书 FQA160N08是Fairchild Semiconductor International生产的一款80V N通道MOSFET。它具有低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
