FAIRCHILD FDS6679 说明书 FDS6679是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款30伏特P通道PowerTrench®MOSFET，具有更快的开关速度和更低的门极电荷，适用于DC/DC转换器、同步或传统的开关PWM控制器以及电池充电器等应用。
FAIRCHILD FDS6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品采用Fairchild Semiconductor公司先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的导通电阻。适用于笔记本电脑和便携式电池组等功率管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS6680A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6680A型号的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的功率沟道工艺生产，旨在最小化静态电阻，并保持优异的开关性能。该器件适用于低压和电池供电应用，需要低线损耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS6680AS 30V N-Channel PowerTrench® SynchFET(TM) 说明书 FDS6680AS是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，旨在取代单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管，在同步DC/DC电源中实现高效功率转换，具有低RDS(ON)和低栅极电荷的特点。
FAIRCHILD FDS6681Z 说明书 FDS6681Z是一款30伏特P通道PowerTrench®MOSFET，使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺制造，该工艺专门针对降低导通电阻而定制。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS6682 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6682是一款30V N沟道PowerTrench MOSFET，专门设计用于提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它经过优化，可在“低侧”同步整流器中进行操作，在小型封装中提供极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDS6690A Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6690A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的单N通道逻辑电平MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和高开关性能。该器件适用于低电压和电池供电应用，在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS6690AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET(TM) 说明书 FDS6690AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 是一款高性能场效应晶体管，具有低RDS(ON)和低栅极电荷。它包括一个集成的肖特基二极管，使用Fairchild的单片SyncFET技术。
FAIRCHILD FDS6699S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET(TM) 说明书 FDS6699S是FAIRCHILD公司的一款30V N沟道电源管，具有极低的RDS(ON)和快速开关速度等特点，可应用于同步DC/DC电源等场合。
FAIRCHILD FDS6875 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6875是Fairchild Semiconductor生产的一种双P通道2.5V额定功率沟槽MOSFET，它具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷特性，适用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。
FAIRCHILD FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6890A是Fairchild Semiconductor生产的双N通道2.5V指定MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，可实现快速开关速度和高功率和电流处理能力
FAIRCHILD FDS6892A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6892A双通道N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchMOSFET。这些MOSFET采用了先进的PowerTrench工艺，旨在最大限度地减小导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该产品特别适用于低压和电池供电的应用，需要低线损耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS6894AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6894AZ是Fairchild Semiconductor推出的一种逻辑级N通道功率MOSFET，其采用先进的PowerTrench工艺，具有非常低的RDS(ON)和优异的开关性能。该产品适用于需要低线损和快速开关的低电压和电池供电应用。
