Fairchild 说明书 - 第105页

FAIRCHILD FDZ1905PZ Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench WL-CSP MOSFET 数据手册

该文件介绍了FDZ1905PZ型号的Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、占用PCB面积小、超薄封装、高功率和电流处理能力等。

FAIRCHILD FDY4000CZ Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDY4000CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N-P通道PowerTrench® MOSFET，具有低阻抗特性，适用于电源转换电路、负载/电源开关等应用场景。

FAIRCHILD FDY301NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDY301NZ单通道MOSFET的特点和特性，使用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench工艺进行设计，以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。其应用包括锂离子电池组。主要特点包括200mA, 20V的电流和5Ω @ VGS = 4.5V，7Ω @ VGS = 2.5V的电阻。此外，还具有ESD保护二极管和符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDY300NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

FDY300NZ是Fairchild Semiconductor生产的N-沟道MOSFET，其特点是RDS(ON) @ VGS = 2.5v非常低，适用于锂电池组等应用。

FAIRCHILD FDY3000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

这是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的 FDY3000NZ 双 N 通道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 的产品手册。该 MOSFET 的 RDS(ON) @ VGS = 2.5v 优化，应用于 Li-Ion 电池组。其特点包括 600 mA、20 V RDS(ON) = 700 m��@ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 850 m� @ VGS = 2.5 V、ESD 保护二极管以及 RoHS 兼容性。

FAIRCHILD FDY2000PZ Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

该文档介绍了2006年1月发布的Fairchild Semiconductor公司的FDY2000PZ双P-Channel MOSFET产品。该产品采用先进的Power Trench工艺，优化了在VGS = -2.5V时的RDS(ON)值。该产品适用于锂离子电池组，具有-350mA，-20V的额定参数。同时具备ESD保护二极管，并符合RoHS标准。