FAIRCHILD FDS6994S Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFet 数据手册 FDS6994S是一款双通道同步DC/DC电源芯片，采用N通道PowerTrenchMOSFET，集成了Schottky二极管，具有低导通电阻和低开关损耗的特点。
FAIRCHILD FDS8433A Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDS8433A型号的P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高密度细胞设计和高功率处理能力。
FAIRCHILD FDS8447 Single N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8447是Fairchild Semiconductor Corporation生产的单N通道功率沟道MOSFET，它采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS（on）和卓越的开关性能，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2005年12月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的FDS8449 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品采用了Fairchild公司先进的PowerTrench工艺，具有低开态电阻和优异的开关性能。主要应用于逆变器和电源等领域。
FAIRCHILD FDS86140 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86140 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率和电流处理能力。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过优化，可实现rDS(on)、开关性能和坚固性。
FAIRCHILD FDS86141 数据手册 FDS86141是一款N通道PowerTrench® MOSFET，其最大RDS(on)为23 m，最大额定电压为100 V，最大电流为7 A。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺，具有超低RDS(on)和卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDS86240 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86240 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能MOSFET，其最大电阻为19.8mΩ，工作电压为150V，最大电流为7.5A
FAIRCHILD FDS86242 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDS86242 N-Channel PowerTrench MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDS86252 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDS86252是一款N沟道功率沟槽MOSFET，具有最大55mΩ的漏源电阻和最大4.5A的漏极电流。采用高性能沟槽技术，具有极低的漏源电阻和高功率、大电流处理能力。广泛应用于直流-直流转换MOSFET。
FAIRCHILD FDS8638 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻，最大漏源电压为40V，最大漏源电流为18A，最大开关损耗为2.5W。该器件采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造，具有高可靠性和低功耗特性，适用于同步整流器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDS86540 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86540 N-Channel PowerTrench® MOSFET是FAIRCHILD的一种MOSFET，具有高性能沟槽技术，极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，广泛用于表面贴装封装。
FAIRCHILD FDS8690 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8690 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N-Channel MOSFET，额定电压为30V，额定电流为14A，最大导通电阻为7.6mΩ。该MOSFET采用了高性能的沟槽技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它还具有极低的栅极电荷，高功率和电流处理能力，并且经过100%的RG测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDS8813NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8813NZ是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有30V的漏极到源极电压，18.5A的漏极电流和4.5mΩ的最大导通电阻。该器件采用了先进的PowerTrench®工艺，适用于笔记本电脑和便携式电池组等功率管理和负载开关应用。
