FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 本文档介绍了FQP6N80C/FQPF6N80C这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能量脉冲下的耐受能力等。该产品适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQP6N90C/FQPF6N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的900V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。
Alliance Semiconductor ASM1233M Low Power, 5V/3.0V, µP Reset, Active LOW, Open-Drain Output 数据手册 ASM1233M是一款低功耗的5V/3.3V µP重置，带有活动低开漏输出。最大电源电流在温度范围内为低20µA。
FAIRCHILD FQP70N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP70N10是Fairchild Semiconductor International推出的一款N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造。该款产品具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器等低电压应用场景。
FAIRCHILD FQP7N80C/FQPF7N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQP7N80C/FQPF7N80C型号的800V N沟道MOSFET产品。这些产品采用了Fairchild公司自有的DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲耐受能力等特点，非常适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP7P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 FQP7P06是Fairchild生产的P型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低门极电荷和高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQP8N80C/FQPF8N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQP8N80C/FQPF8N80C/FQPF8N80CYDTU 800V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高能量脉冲耐受性等。
FAIRCHILD FQP8N90C/FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 这是 FQP8N90C/FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET 的 PDF 数据表
FAIRCHILD FQP8P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQP8P10是Fairchild生产的一种100V P通道MOSFET，其特点是低导通电阻、低栅极电容和快速开关特性，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用
FAIRCHILD FQP9N30 300V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP9N30是一款300V N沟道MOSFET，其最大电流为9.0A，开关速度快，耐高压脉冲，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源等。
FAIRCHILD FQP9N90C/FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQP9N90C/FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET的特点和特性。这些功率场效应晶体管采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲的能力。这些器件非常适用于高效率的开关模式电源。
FAIRCHILD FQP9P25 250V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了FQP9P25型号的P-Channel MOSFET产品。该产品采用Fairchild的专利技术，具有低开态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQP10N50CF/FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括10A的电流、500V的电压、低电荷和低电容、快速开关和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQP11N50CF/FQPF11N50CF 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP11N50CF/FQPF11N50CF是一款500V N沟道MOSFET，具有11A的最大电流和0.55欧姆的导通电阻。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、低门极电荷、低跨阻、快速开关、快速恢复体二极管和100%的雪崩测试等特性，适用于高效率的开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD BC307/308/309 Switching and Amplifier Applications 数据手册 BC307/308/309是Fairchild Semiconductor Corporation制造的PNP型硅晶体管。该晶体管具有-50至-30伏的集电极-发射极电压、-45至-25伏的集电极-发射极击穿电压、-5伏的发射极-基极电压、-100毫安的集电极电流和500毫瓦的集电极功率耗散。该晶体管的典型应用包括开关和放大器。
FAIRCHILD FQD20N06L/FQU20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 该文档介绍了2009年3月发布的QFET TM FQD20N06L / FQU20N06L产品的特点和特性。这些N-通道增强型功率场效应晶体管采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产。该技术经过特殊设计，以减小导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品非常适用于低电压应用，如汽车、DC/ DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQT7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT7N10L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的100V LOGIC N-Channel MOSFET，具有1.7A、100V、RDS(on) = 0.35Ω @VGS = 10 V、低门控充电（典型值为4.6 nC）、低Crss（典型值为12 pF）等特点。
FAIRCHILD FQT7N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT7N10 100V N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型功率场效应晶体管，它具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关和改进的dv/dt能力。
