Alliance SemiconductorASM1233A Low Power, 3.3V, µP Reset, Active LOW, Open-Drain Output 数据手册 ASM1233A是一款低功耗、3.3V、µP重启、活动低电平、开漏输出的电压监视器。最大电源电流在整个温度范围内为15µA。
Alliance Semiconductor ASM1233D-L/D/M Low Power, 5V/3.3V, µP Reset, Active LOW, Open-Drain Output 数据手册(1) 该文档介绍了ASM1233D-L/D/M系列产品的特点特性，包括低功耗、5V/3.3V µP Reset、活动低、开漏输出等。
Alliance Semiconductor ASM1233D-L/D/M Low Power, 5V/3.3V, µP Reset, Active LOW, Open-Drain Output 数据手册(1) ASM1233D-L/D/M是Alliance Semiconductor生产的低功耗电压监视器，可以检测输入电压是否在正常范围内，如果输入电压超出范围，则输出一个低电平信号复位微处理器。该产品最大供电电流为15μA（3.3V）和20μA（5V）。
Alliance Semiconductor ASM1233D-L/D/M Low Power, 5V/3.3V, µP Reset, Active LOW, Open-Drain Output 数据手册(2) ASM1233D-L/1233D/1233M是一种低功耗、5V/3.3V的微处理器复位电路，具有活动低电平、开漏输出的特性。它能够在监测到供电电压超出允许范围时生成一个活动低电平的复位信号，并在供电电压恢复正常后延时350毫秒保持复位信号以稳定系统。该产品具有低供电电流、自动重启微处理器等特点。
FAIRCHILD FQP3P20 200V P-Channel MOSFET 说明书 该文档介绍了FQP3P20 200V P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关、高能量脉冲抗击和高效率开关DC/DC转换器等应用。
FAIRCHILD FQP3P50 500V P-Channel MOSFET 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的FQP3P50 500V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关、高能量脉冲承受能力等。
FAIRCHILD FQP44N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 FQP44N10 是一款 43.5A、100V 的 N 通道 MOSFET，它采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的承受能力。该器件非常适用于音频放大器、高效率开关 DC/DC 转换器和 DC 电机控制等低电压应用。
FAIRCHILD FQP45N15V2 / FQPF45N15V2 150V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了FQP45N15V2/FQPF45N15V2型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括最低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换向模式下能够承受高能脉冲的能力。该产品适用于直流到直流转换器、同步整流等需要最低导通电阻的应用。
FAIRCHILD FQP46N15 150V N-Channel MOSFET 说明书 QFET QFET QFET QFET是飞利浦公司生产的一款高性能功率器件，采用先进的制程技术，具有高耐压、高电流、低功耗等特性，广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。
FAIRCHILD FQP47P06 60V P-Channel MOSFET 说明书 FQP47P06是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%放电测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点。
FAIRCHILD FQP4N80 说明书 这份文档介绍了FQP4N80 QFET TM FQP4N80 800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速切换等特点，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP4P40 说明书 FQP4P40是Fairchild Semiconductor生产的400V P通道MOSFET。该器件具有-3.5A，-400V，RDS(on) = 3.1Ω @VGS = -10 V，低栅极电荷（典型值为18 nC），低Crss（典型值为11 pF），快速开关，100％雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQP55N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP55N10是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，该产品采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。
FAIRCHILD FQP5N60C/FQPF5N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP5N60C/FQPF5N60C型号的600V N-Channel MOSFET的特点和特性。这些器件采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP65N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP65N06 60V N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管。该产品采用Fairchild的专有平面条带DMOS技术，具有低导通电阻、高性能开关和高能脉冲承受能力。该产品适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，以及便携式和电池供电产品中的功率管理应用。
FAIRCHILD FQP6N40C/FQPF6N40C 400V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP6N40C/FQPF6N40C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的400V N沟道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQP6N40CF 400V N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表格介绍了FQP6N40CF/FQPF6N40CF 400V N-Channel MOSFET的特性,包括额定电压、最大电流、门极电压、开关速度等。
